Прорыв в производстве видеопамяти: Samsung тестирует новые 4-нм чипы HBM4

Samsung Electronics начала тестовое производство логических чипов HBM4 с использованием 4-нанометрового технологического процесса. Об этом сообщили ведущие южнокорейские СМИ. Это событие знаменует собой важный шаг в развитии инновационной памяти высокой пропускной способности (HBM), которая играет ключевую роль в повышении производительности и энергоэффективности современных видеокарт и вычислительных систем.

Логические чипы, также известные как базовые кристаллы или интерфейсные чипы, выступают в роли «мозга» для стеков памяти HBM, контролируя слои DRAM. В новом поколении HBM4, учитывая удвоенное количество I/O контактов и интеграцию дополнительных функций, производство логических чипов осуществляется на высокотехнологичных производственных линиях.

Также отмечается, что основная проблема памяти HBM — высокое тепловыделение во время работы. Применение передового 4-нанометрового процесса позволяет значительно улучшить теплоотвод и, как следствие, повысить общую производительность и энергоэффективность.

После завершения проверки конечной производительности логических чипов, Samsung планирует предоставить образцы HBM4 своим клиентам. Это может стать ключевым моментом для компании в попытке вернуть потерянные доли рынка HBM памяти, утраченные в предыдущем поколении из-за проблем с качеством.

Напомним, HBM (High Bandwidth Memory) — это тип стековой памяти с высокой пропускной способностью, используемый в вычислительной технике для увеличения скорости передачи данных между процессором и памятью. HBM характеризуется вертикальной структурой слоёв памяти и широкой интерфейсной шиной, что позволяет достичь значительно более высокой пропускной способности и низкого энергопотребления в сравнении с традиционными типами памяти, такими как DDR.

Ранее сообщалось, что в модельном ряду смартфонов от Apple появится iPhone 16E.