Дарья Каширина
28 сентября 2025 12:18:05
Фото: © D. Novikov
Россия представила план развития EUV-литографии до 2037 года. Вместо копирования ASML ученые предложили альтернативную архитектуру на базе ксеноновой плазмы и зеркал Ru/Be.
Институт физики микроструктур РАН раскрыл обновлённую дорожную карту по созданию отечественных систем литографии в экстремальном ультрафиолетовом диапазоне. Проект рассчитан на период с 2026 по 2037 годы и охватывает переход от 40-нм технологий к суб-10-нм производственным процессам.
Главное отличие российской концепции в том, что она не повторяет решения ASML. В основу положены гибридные твердотельные лазеры, источники излучения на ксеноновой плазме и зеркала из рутения и бериллия, работающие на длине волны 11,2 нм. Такой подход позволяет избавиться от проблем с загрязнением фотошаблонов, характерных для EUV-систем на основе олова, а также упростить обслуживание и снизить стоимость оборудования.
Этапы проекта: 2026–2028 гг. — первая машина с поддержкой 40-нм процессов, производительностью до 5 пластин в час и точностью наложения 10 нм; 2029–2032 гг. — сканер на 28 нм (с возможностью 14 нм), четырёхзеркальная оптика, до 50 пластин в час; 2033–2036 гг. — финальная версия с поддержкой суб-10-нм норм, шестизеркальная конфигурация и точность до 2 нм при производительности более 100 пластин в час.
В перспективе такие системы смогут покрывать диапазон от 65 до 9 нм, оставаясь при этом дешевле по себестоимости, чем платформы ASML Twinscan.
Однако остаются и вопросы. Длина волны 11,2 нм пока не является отраслевым стандартом, что потребует создания совершенно новой оптики, инструментов и расходных материалов. Эксперты отмечают: проект выглядит амбициозным, но его реализуемость пока не доказана.
При успешной реализации Россия сможет не только обеспечить внутренние потребности, но и предложить альтернативу мировому рынку, в том числе странам, ограниченным в доступе к EUV-технологиям ASML.