Дарья Каширина
18 декабря 2025 04:03:02
Фото: © A. Krivonosov
Intel установила первый в отрасли коммерческий литографический инструмент High-NA EUV от ASML.
Компания Intel официально объявила о вводе в эксплуатацию первого в отрасли коммерческого инструмента High-NA EUV — ASML Twinscan EXE:5200B. Новый литографический сканер прошёл начальные испытания и будет задействован при разработке техпроцесса Intel 14A, который должен стать первым в мире узлом, использующим EUV-литографию с высокой числовой апертурой для критически важных слоёв.
Twinscan EXE:5200B построен на базе платформы EXE:5000, полученной Intel ещё в 2023 году для исследовательского центра в Орегоне. Однако новая версия значительно продвинулась вперёд: система с числовой апертурой 0,55 обеспечивает разрешение до 8 нм, что позволяет обходиться без сложного многократного формирования рисунка, характерного для традиционных EUV-сканеров с разрешением около 13 нм.
По производительности EXE:5200B способен обрабатывать до 175 пластин в час при дозе экспозиции 50 мДж/см² и обеспечивает точность наложения слоёв на уровне 0,7 нм. Такой показатель становится критически важным по мере перехода отрасли к элементам субнанометрового масштаба, где малейшие ошибки выравнивания напрямую влияют на выход годных чипов.
Для достижения этих параметров ASML и Intel усилили источник EUV-излучения и переработали ключевые подсистемы сканера. Особое внимание было уделено системе транспортировки и хранения пластин: обновлённая архитектура обеспечивает более стабильный температурный режим и снижает механические и тепловые колебания. Это уменьшает дрейф параметров при длительной работе и сокращает потребность в частой перекалибровке оборудования.
Intel подчёркивает, что внедрение High-NA EUV позволит упростить правила проектирования, сократить число этапов литографии и масок, уменьшить время производственного цикла и повысить общую производительность техпроцесса 14A и последующих поколений. Параллельно компания работает над оптимизацией фотошаблонов, процессов травления, методов повышения разрешения и метрологии, чтобы максимально раскрыть потенциал новой литографии.
По сути, установка Twinscan EXE:5200B знаменует переход High-NA EUV из экспериментальной стадии в крупносерийное производство и может стать ключевым элементом стратегии Intel по возвращению технологического лидерства в полупроводниковой отрасли.