Дарья Каширина
30 апреля 2026 23:10:02
Фото: © A. Krivonosov
Samsung ускоряет разработку памяти HBM4E и фиксирует резкий рост цен на DRAM и NAND на фоне бума ИИ.
Samsung Electronics раскрыла новые детали своей стратегии после публикации финансовых результатов за первый квартал 2026 года, и ключевой акцент оказался на сегменте памяти. Компания подтвердила, что уже во втором квартале планирует начать тестирование памяти нового поколения HBM4E, которая рассматривается как один из важнейших элементов для развития систем искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислений.
Параллельно рынок демонстрирует резкий рост цен: средняя стоимость DRAM увеличилась более чем на 90% в годовом выражении, почти аналогичный скачок показала и NAND-память. Такая динамика связана с растущей конкуренцией за производственные мощности, поскольку крупные игроки активно инвестируют в инфраструктуру ИИ и заранее резервируют поставки компонентов.
Samsung рассчитывает, что продажи HBM-памяти в 2026 году вырастут в три раза, а уже к третьему кварталу более половины выручки в этом сегменте будет приходиться на новое поколение HBM4. Это подчеркивает смещение всей отрасли в сторону решений, ориентированных на обработку больших объемов данных и машинное обучение.
Одновременно компания продолжает расширять производственные возможности: во второй половине года ожидается запуск второго поколения 2-нм техпроцесса для мобильных устройств, а также дальнейшее развитие 4-нм решений, включая специализированные чипы для ИИ. В США ускоряется реализация проекта Taylor, где наращиваются мощности фабрики с прицелом на массовое производство в 2027 году.
Дополнительно Samsung делает ставку на премиальные продукты и новые дисплейные технологии, включая массовое производство IT OLED-панелей поколения 8.6. В условиях растущих цен на компоненты и усиливающейся конкуренции компания стремится укрепить позиции за счет технологических преимуществ и масштабирования производства.