Борис Наумкин
Samsung создала первый 900-слойный прототип V-NAND, приблизившись к будущей памяти на 1000 слоёв.
Samsung Electronics, по данным инсайдера Ice Universe и профильных СМИ, успешно разработала прототип 900-слойной V-NAND — вертикальной флеш-памяти нового поколения. Если информация подтвердится официально, это станет важным шагом к рубежу в 1000 слоёв, который давно считается одной из следующих больших целей индустрии NAND-памяти.
По сообщениям, прототип создан не простым наращиванием одного кристалла, а за счёт объединения двух 450-слойных блоков с применением технологии CMB, или Cell-on-Cell/multi-layer bonding. Такой подход позволяет увеличивать число слоёв и плотность хранения данных, обходя часть технологических ограничений, с которыми сталкиваются производители при дальнейшем вертикальном масштабировании NAND.
Для Samsung это особенно важная демонстрация на фоне растущего спроса на накопители для серверов, ИИ-инфраструктуры, ПК и мобильных устройств. Компания уже выпускает V-NAND 9-го поколения: в 2024 году Samsung объявила массовое производство 1-терабитной TLC V-NAND, а затем начала производство QLC V-NAND 9-го поколения для задач эпохи ИИ.
900-слойный прототип пока не означает немедленного появления потребительских SSD с такой памятью. Между лабораторной разработкой и массовым производством остаются вопросы выхода годных чипов, стоимости, надёжности, энергопотребления и совместимости с будущими контроллерами. Но сам факт успешной проверки такой структуры показывает, что Samsung продолжает искать путь к резкому росту ёмкости без пропорционального увеличения площади чипа.
Если технология дойдёт до серийного производства, она может стать основой для SSD гораздо большей ёмкости — от потребительских накопителей до корпоративных решений для дата-центров. На фоне конкуренции с SK hynix, Micron, YMTC и другими игроками Samsung важно не просто удержать лидерство в NAND, а доказать, что компания способна первой приблизиться к следующему поколению сверхплотной флеш-памяти.