Samsung готовит массовое производство 1d DRAM к следующему году

Инсайдер Jukan сообщил, что Samsung Electronics готовит массовое производство DRAM седьмого поколения класса 10 нм, известной как 1d DRAM. По его данным, компания уже работает с несколькими партнёрами над оборудованием для нового техпроцесса и рассчитывает начать его внедрение уже во втором квартале следующего года.

1d DRAM относится к памяти с шириной линий примерно 10–11 нм. Для сравнения, актуальная 1c DRAM шестого поколения оценивается примерно в 11–12 нм. Чем меньше этот показатель, тем выше потенциальная производительность и энергоэффективность памяти, что особенно важно на фоне роста спроса со стороны серверов, ИИ-ускорителей и HBM.

Samsung уже проводит внутренние оценки, включая выпуск ранних образцов 1d DRAM. Ранее звучали предположения, что компания может начать массовое производство уже в этом году, но источники отрасли считают такой сценарий маловероятным. Главная причина — ключевое оборудование для выпуска 1d DRAM пока ещё находится на стадии разработки.

Сейчас Samsung, по данным инсайдера, обсуждает с партнёрами ввод производственного оборудования во втором квартале следующего года. С учётом времени, необходимого на настройку линий и подготовку производства, первый реальный старт массового выпуска может состояться не раньше конца следующего года. При этом окончательный график, как ожидается, станет понятнее ближе к концу текущего года.

Отраслевые источники отмечают, что Samsung активно работает над стабилизацией выхода годных чипов и характеристик 1d DRAM. Для компании это не просто очередное уменьшение норм производства, а важный элемент будущей стратегии в памяти для искусственного интеллекта.

Ожидается, что 1d DRAM станет базовым кристаллом для HBM5E — высокоскоростной памяти девятого поколения, коммерциализация которой прогнозируется на 2029 год. Если Samsung удастся вывести новый техпроцесс в срок, это может укрепить её позиции в гонке с SK Hynix и Micron на рынке памяти.