Борис Наумкин
Samsung показала архитектуру zHBM с восьмикратным ростом производительности, 400-слойную V-NAND и память LPDDR5X со встроенной обработкой данных.
Samsung представила несколько технологий памяти и хранения данных нового поколения на выставке Future of Memory and Storage в Санта-Кларе. Большая часть разработок ориентирована на центры обработки данных, ускорители искусственного интеллекта и периферийные вычисления.
Одной из главных новинок стала концепция zHBM. В этой архитектуре память HBM размещается непосредственно над ускорителем ИИ, а не рядом с ним. По заявлению Samsung, такое решение может повысить производительность до восьми раз по сравнению с традиционной компоновкой. При производстве zHBM применяется технология соединения пластин нового поколения. Она должна обеспечить более чем десятикратное увеличение плотности памяти по сравнению с HBM5 и одновременно повысить энергоэффективность в три раза.
Samsung также показала V10 BV-NAND — новый тип вертикальной флеш-памяти для твердотельных накопителей, карт памяти и других устройств хранения. Архитектура Bonding V-NAND позволяет объединить более 400 слоёв ячеек, увеличив плотность примерно на 58% относительно поколения V9 и повысив скорость чтения, записи и операций ввода-вывода.
Ещё одной разработкой стала zNAND-O, сочетающая высокую эффективность использования пространства, низкую задержку и улучшенную производительность ввода-вывода. Решение предназначено прежде всего для периферийных систем искусственного интеллекта.
Компания также продемонстрировала LPDDR5X-PIM — первую LPDDR-память со встроенной технологией обработки данных. Она позволяет выполнять часть вычислений непосредственно внутри памяти, сокращая перемещение информации между компонентами и повышая общую эффективность системы.