Danny Weber
Samsung po výsledcích Q1 2026 spouští testy HBM4E. Ceny DRAM +90%, NAND zdražuje. Chystá výrobu 2nm a 4nm čipů, OLED panelů, projekt Taylor. Více o strategii.
Po zveřejnění finančních výsledků za 1. čtvrtletí 2026 obrátil Samsung Electronics pozornost přímo na svou paměťovou divizi a představil nové detaily strategie. Nejzásadnější je, že firma plánuje ve druhém čtvrtletí zahájit testování pamětí nové generace HBM4E – krok, který mnozí považují za klíčový pro pokrok v oblasti umělé inteligence a vysoce výkonných výpočtů.
Současně trh zažívá prudký cenový vzestup: průměrné ceny DRAM se meziročně zvýšily o více než 90 % a podobně výrazně rostou i ceny NAND flash. Tento nárůst je důsledkem sílící konkurence o výrobní kapacity – hlavní hráči totiž masivně investují do infrastruktury pro umělou inteligenci a zajišťují si dodávky komponent s velkým předstihem.
Samsung předpovídá, že prodeje HBM pamětí se v roce 2026 ztrojnásobí, přičemž ve třetím čtvrtletí už bude více než polovina tržeb v tomto segmentu pocházet z nové generace HBM4. Pro ty, kdo sledují trendy v odvětví, to jasně ukazuje širší obrat směrem k řešením postaveným pro masivní zpracování dat a strojové učení.
Samsung také rozšiřuje svou výrobní stopu. Ve druhé polovině roku by měla přijít druhá generace 2nm procesu pro mobilní zařízení a pokračuje i vývoj 4nm čipů, včetně specializovaných AI procesorů. Ve Spojených státech mezitím nabírá obrátky projekt Taylor, kde se navyšuje výrobní kapacita s cílem spustit sériovou výrobu v roce 2027.
Navíc Samsung proniká do segmentu prémiových produktů a nových displejových technologií – počítá se i sériová výroba 8,6generačních IT OLED panelů. V prostředí rostoucích cen součástek a tvrdší konkurence sází na technologické prvenství a rozsah výroby, aby si upevnil pozici na trhu.
© A. Krivonosov