Danny Weber
Samsung má připravovat 1d DRAM třídy 10 nm. Zavádění výrobního vybavení se očekává ve druhém čtvrtletí příštího roku.
Insider Jukan uvedl, že Samsung Electronics připravuje masovou výrobu DRAM sedmé generace ve třídě 10 nm, známější jako 1d DRAM. Podle něj firma už spolupracuje s několika partnery na vybavení pro nový proces a počítá s tím, že jeho zavádění začne ve druhém čtvrtletí příštího roku.
1d DRAM označuje paměť s šířkou linií zhruba 10–11 nm. Pro srovnání, současná 1c DRAM šesté generace se odhaduje přibližně na 11–12 nm. Čím nižší je tato hodnota, tím vyšší může být výkon a energetická efektivita paměti. V době rostoucí poptávky ze strany serverů, AI akcelerátorů a HBM je důležitý i takový rozdíl.
Samsung už provádí interní hodnocení, včetně raných vzorků 1d DRAM. Dříve se objevily spekulace, že by firma mohla přejít k masové výrobě už letos, ale oborové zdroje tento scénář považují za málo pravděpodobný. Důvod je jednoduchý: klíčové vybavení pro 1d DRAM je podle všeho stále ve vývoji.
Podle insidera nyní Samsung s partnery řeší zavádění výrobního vybavení ve druhém čtvrtletí příštího roku. Po započtení času potřebného na vyladění linek a přípravu výroby může skutečný start masové produkce přijít nejdříve koncem příštího roku. Jasnější harmonogram se očekává blíže ke konci letošního roku.
Oborové zdroje uvádějí, že Samsung aktivně pracuje na stabilizaci výtěžnosti a parametrů 1d DRAM. Pro firmu nejde jen o další zmenšení procesu, ale o důležitou součást budoucí strategie v pamětech pro umělou inteligenci.
1d DRAM se má stát základním čipem pro HBM5E, tedy devátou generaci paměti s vysokou propustností, jejíž komercializace se očekává v roce 2029. Pokud Samsung nový proces spustí včas, může posílit svou pozici v závodě se SK Hynix a Micronem.
© A. Krivonosov