Danny Weber
Datová centra pro AI spotřebovávají stále více kapacit HBM a DRAM a omezují nabídku běžných pamětí.
Generální ředitel SK hynix Kwak Noh-Jung varoval, že globální trh s paměťmi může v roce 2027 čelit nejvážnějšímu nedostatku ve své historii. Podle něj poptávka po DRAM, včetně výkonné HBM pro infrastrukturu AI, a po NAND překročí dostupné výrobní kapacity nejen příští rok, ale i později — nejméně do začátku příštího desetiletí.
Hlavním zdrojem tlaku je rychlý růst poptávky datových center. Velcí zákazníci uzavírají víceleté dodavatelské smlouvy a výrobci stále častěji upřednostňují dražší a výnosnější produkty: HBM pro akcelerátory AI, LPDDR5X pro vlajková zařízení a serverová řešení. Na běžné DDR5, DDR4 a levnější mobilní LPDDR proto zbývá méně výrobních kapacit.
Podobné odhady zveřejnily také Samsung a Micron. Samsung varoval, že situace může být v roce 2027 ještě obtížnější, protože výrobci nedokážou zvyšovat produkci dostatečně rychle. Micron rovněž tvrdí, že nedostatek je teprve v rané fázi a že dokáže pokrýt jen přibližně 50–66 % poptávky svých zákazníků po pamětech.
Pro SK hynix, Samsung a Micron je situace výhodná, pro zbytek trhu však stále bolestivější. Silná poptávka po prémiových pamětech zvyšuje zisky výrobců, zatímco spotřebitelský segment čelí prudkému růstu cen. Vyšší náklady již ovlivňují počítače, smartphony, herní konzole a další zařízení, u nichž paměť tvoří významnou část nákladů na komponenty.
Čínští výrobci pamětí během nedostatku rychleji rozšiřují kapacity, včetně CXMT v segmentu DRAM a YMTC v segmentu NAND, především kvůli domácí poptávce. SK hynix také připravuje víceleté rozšíření výroby a investuje do nových závodů v Jižní Koreji a USA. Ani rozsáhlé investice však rychle neodstraní nerovnováhu mezi nabídkou a poptávkou.
© A. Krivonosov