Samsung umístil HBM nad AI akcelerátor a ukázal NAND s více než 400 vrstvami

Samsung představil na akci Future of Memory and Storage v Santa Claře několik paměťových a úložných technologií nové generace. Většina z nich míří na datová centra, akcelerátory umělé inteligence a systémy edge computingu.

Jednou z hlavních novinek je koncept zHBM. V této architektuře je paměť HBM umístěna přímo nad AI akcelerátorem, nikoli vedle něj. Podle odhadu Samsungu by toto uspořádání mohlo nabídnout až osminásobný výkon oproti tradičním řešením. Při výrobě zHBM chce firma použít novou generaci technologie spojování waferů. Ta má přinést více než desetinásobnou hustotu paměti oproti HBM5 a současně trojnásobnou energetickou účinnost.

Samsung ukázal také V10 BV-NAND, nový typ vertikální flash paměti pro SSD, paměťové karty a další úložná zařízení. Architektura Bonding V-NAND umožňuje spojit více než 400 vrstev buněk, což zvyšuje hustotu přibližně o 58 % proti generaci V9. Výrobce slibuje také rychlejší čtení, zápis a vstupně-výstupní operace.

Další novinkou je zNAND-O, která kombinuje efektivní využití prostoru, nízkou latenci a vyšší vstupně-výstupní výkon. Řešení je určeno především pro okrajové systémy umělé inteligence.

Firma rovněž předvedla LPDDR5X-PIM, svou první paměť LPDDR5X s integrovaným zpracováním dat. Část výpočtů může probíhat přímo v paměti, což omezuje přesuny informací mezi komponentami a zvyšuje celkovou efektivitu systému.