InnoScience, UAES a Naixinwei spojí síly: GaN mění výkonovou elektroniku v elektromobilech

1. října společnosti InnoScience, United Automotive Electronic Systems (UAES) a Naixinwei oznámily, že podepsaly dohodu o strategické spolupráci na vývoji inovativních produktů na bázi nitridu galia (GaN) pro novou generaci elektromobilů.

Společný vývoj se zaměří na integraci GaN do systémů výkonové elektroniky s cílem zvýšit energetickou hustotu, spolehlivost a účinnost. Ve srovnání s tradičními křemíkovými řešeními umožňuje GaN kompaktnější konstrukce a pomáhá snižovat hmotnost i spotřebu energie — přednosti obzvlášť důležité pro elektrifikaci a odlehčování vozidel.

Toto partnerství spojuje komplementární silné stránky: UAES v integraci automobilových systémů, Naixinwei v návrhu vysoce výkonných analogových a smíšených čipů a InnoScience ve výkonových součástkách GaN. V souhrnu to působí jako praktická sázka na to, že se GaN stane základním stavebním prvkem výkonové elektroniky v elektromobilech. Společnosti chtějí vybudovat mezioborovou inovační platformu a urychlit uvádění nových řešení do výroby, čímž mají podpořit udržitelný rozvoj a rostoucí hodnotu sektoru elektrických vozidel.