Společnost Samsung Electronics údajně vyvinula prototyp 900vrstvé paměti V-NAND, tedy příští generace vertikální flash paměti. Informaci přinesl insider Ice Universe a průmyslová média. Pokud se oficiálně potvrdí, půjde o významný krok k milníku 1000 vrstev, který je dlouho považován za klíčový cíl v odvětví NAND.
Prototyp není postaven jednoduchým skládáním vrstev na jednom čipu, ale kombinací dvou 450vrstvých bloků pomocí technologie CMB (Cell-on-Cell, tedy propojování vrstev). Tento přístup zvyšuje počet vrstev i hustotu úložiště a zároveň obchází některé technologické překážky, které výrobcům komplikují vertikální škálování NAND.
Pro Samsung je tato ukázka obzvlášť důležitá v době rostoucí poptávky po úložištích v serverech, AI infrastruktuře, počítačích a mobilech. Firma už vyrábí 9. generaci V-NAND – v roce 2024 oznámila sériovou výrobu 1terabitové TLC V-NAND a později také 9. generaci QLC V-NAND pro aplikace poháněné umělou inteligencí.
Devítisetvrstvý prototyp neznamená, že by spotřebitelské SSD s touto pamětí byly hned na obzoru. Mezi laboratorním vývojem a sériovou výrobou stojí výzvy v podobě výtěžnosti, ceny, spolehlivosti, spotřeby energie a kompatibility s budoucími řadiči. Úspěšné ověření této struktury nicméně ukazuje, že Samsung i nadále směřuje k výrazně vyšší kapacitě, aniž by úměrně zvětšoval velikost čipu.
Pokud se technologie dostane do sériové výroby, mohla by se stát základem pro SSD s mnohem vyšší kapacitou – od spotřebitelských disků až po podniková řešení pro datová centra. V konkurenci s SK hynix, Micronem, YMTC a dalšími je pro Samsung klíčové nejen udržet vedoucí pozici v NAND, ale také dokázat, že dokáže být první, kdo se přiblíží další generaci ultra husté flash paměti.