ASML Twinscan EXE:5200B: Intels erster High-NA-EUV-Scanner für 14A

Intel hat das erste kommerzielle High-NA-EUV-System der Branche offiziell in Betrieb genommen — den ASML Twinscan EXE:5200B. Der neue Lithografie-Scanner hat die ersten Tests abgeschlossen und wird für die Entwicklung des Prozesses Intel 14A genutzt, der zum ersten Knoten weltweit werden soll, der High-NA-EUV in kritischen Layern einsetzt.

Das System basiert auf der EXE:5000-Plattform, die Intel 2023 für sein Forschungszentrum in Oregon erhalten hat, und legt mit der EXE:5200B spürbar nach. Mit einer numerischen Apertur von 0,55 erreicht es eine Auflösung von bis zu 8 nm und macht damit das komplexe Multipatterning überflüssig, das konventionelle EUV-Scanner — deren Auflösung typischerweise um 13 nm liegt — häufig benötigen.

Beim Durchsatz verarbeitet die EXE:5200B bei einer Belichtungsdosis von 50 mJ/cm² bis zu 175 Wafer pro Stunde und erreicht eine Overlay-Genauigkeit von 0,7 nm. Diese Werte sind entscheidend, da die Branche in Richtung subnanometergroßer Strukturen geht, bei denen schon kleinste Fehljustagen die Ausbeute unmittelbar mindern.

Um diese Ziele zu erreichen, haben ASML und Intel die EUV-Lichtquelle verstärkt und zentrale Teilsysteme überarbeitet. Besonders viel Aufmerksamkeit galt dem Wafertransport und der -lagerung: Die aktualisierte Architektur hält die thermische Umgebung stabiler und dämpft mechanische wie thermische Vibrationen. In der Praxis bedeutet das weniger Parameterdrift über lange Laufzeiten und seltener Unterbrechungen für Neukalibrierungen.

Intel betont, dass der Einsatz von High-NA-EUV Konstruktionsregeln vereinfachen, die Zahl der Lithografieschritte und Masken verringern, die Fertigungszyklen verkürzen und den Gesamtdurchsatz für 14A und folgende Prozesse steigern soll. Parallel dazu feilt das Unternehmen an Photomasken, Ätzprozessen, Verfahren zur Auflösungssteigerung und der Messtechnik, um den vollen Nutzen der neuen Lithografie auszuschöpfen.

Unterm Strich markiert die Installation des Twinscan EXE:5200B den Übergang von High-NA-EUV aus dem Experimentierstadium in die Großserienfertigung — und könnte zu einem zentralen Baustein von Intels Strategie werden, die technologische Spitzenposition in der Halbleiterfertigung zurückzuerobern.