InnoScience, UAES und Naixinwei treiben GaN-Leistungselektronik für Elektrofahrzeuge voran

Am 1. Oktober haben InnoScience, United Automotive Electronic Systems (UAES) und Naixinwei eine strategische Kooperation bekanntgegeben: Gemeinsam wollen sie innovative Produkte auf Basis von Galliumnitrid (GaN) für die nächste Generation von Elektrofahrzeugen entwickeln.

Im Mittelpunkt der Zusammenarbeit steht die Integration von GaN in leistungselektronische Systeme, um Energiedichte, Zuverlässigkeit und Effizienz zu steigern. Gegenüber herkömmlichen Silizium-Lösungen ermöglicht GaN kompaktere Designs und trägt dazu bei, Gewicht und Energieverbrauch zu senken – Vorteile, die besonders bei der Elektrifizierung und beim Fahrzeugleichtbau ins Gewicht fallen.

Die Partner bringen komplementäre Stärken ein: UAES bei der automobilen Systemintegration, Naixinwei in der Entwicklung leistungsfähiger Analog- und Mixed-Signal-Chips, InnoScience bei GaN-Leistungskomponenten. Zusammengenommen wirkt das Bündnis wie eine pragmatische Wette darauf, GaN zum zentralen Baustein der Leistungselektronik im Elektrofahrzeug zu machen. Ziel ist es, eine branchenübergreifende Innovationsplattform zu etablieren und die Einführung neuer Lösungen in der Fertigung zu beschleunigen – mit Blick auf nachhaltige Entwicklung und die wachsende Wertschöpfung im Elektrofahrzeugsektor.