Danny Weber
Samsung startet HBM4E-Tests noch dieses Quartal. DRAM- und NAND-Preise stiegen um über 90%. Jetzt mehr erfahren über Strategie, Fertigungsausbau und KI-Fokus.
Nach den Quartalszahlen für Q1 2026 rückt Samsung Electronics sein Speichergeschäft in den Vordergrund – mit neuen Strategieplänen. Besonders brisant: Noch in diesem Quartal sollen Tests mit der nächsten HBM4E-Speichergeneration anlaufen. Dieser Schritt gilt als wegweisend für KI und Hochleistungsrechnen.
Parallel dazu steigen die Preise drastisch: DRAM verteuerte sich im Jahresvergleich um über 90 Prozent, NAND zog gleich stark nach. Hintergrund ist der verschärfte Wettlauf um Fertigungskapazitäten, bei dem große Branchenakteure frühzeitig in KI-Infrastruktur investieren und ihre Komponentenversorgung absichern.
Samsung rechnet für 2026 mit einer Verdreifachung des HBM-Umsatzes. Ab dem dritten Quartal dürfte bereits mehr als die Hälfte davon auf die neue HBM4-Generation entfallen. Für Branchenbeobachter unterstreicht dies die generelle Verschiebung hin zu Lösungen für massives Datenverarbeiten und maschinelles Lernen.
Auch beim Ausbau der Fertigungskapazitäten zieht Samsung an. Im zweiten Halbjahr soll ein 2-Nanometer-Prozess der zweiten Generation für Mobilgeräte kommen, während parallel 4-nm-Lösungen – darunter spezielle KI-Chips – weiterentwickelt werden. In den USA nimmt das Taylor-Werk Fahrt auf: Die Kapazitäten werden so hochgefahren, dass 2027 die Massenproduktion anläuft.
Darüber hinaus setzt Samsung auf Premium-Produkte und neue Display-Technologien. Die Massenfertigung von 8.6-Generation-IT-OLED-Panels steht in den Startlöchern. Vor dem Hintergrund steigender Bauteilpreise und wachsender Konkurrenz baut die Strategie auf Technologieführerschaft und Skaleneffekte, um die Marktposition zu behaupten.
© A. Krivonosov