Samsung stapelt HBM über dem KI-Beschleuniger und zeigt 400-Layer-V-NAND

Samsung hat auf der Veranstaltung Future of Memory and Storage in Santa Clara mehrere Speicher- und Datenspeichertechnologien der nächsten Generation vorgestellt. Die meisten Entwicklungen richten sich an Rechenzentren, KI-Beschleuniger und Edge-Computing-Systeme.

Zu den wichtigsten Neuheiten gehört das zHBM-Konzept. Bei dieser Architektur sitzt der HBM-Speicher direkt über dem KI-Beschleuniger statt daneben. Samsung zufolge könnte diese Anordnung gegenüber herkömmlichen Lösungen eine bis zu achtfache Leistung ermöglichen. Für zHBM plant das Unternehmen ein Wafer-Bonding-Verfahren der nächsten Generation. Es soll mehr als die zehnfache Speicherdichte von HBM5 erreichen und zugleich die Energieeffizienz verdreifachen.

Samsung zeigte außerdem V10 BV-NAND, einen neuen Typ vertikalen Flash-Speichers für SSDs, Speicherkarten und andere Speichergeräte. Die Bonding-V-NAND-Architektur kann mehr als 400 Zellschichten verbinden und erhöht die Dichte damit gegenüber der V9-Generation um rund 58 Prozent. Das Unternehmen verspricht zudem höhere Lese-, Schreib- und Ein-/Ausgabeleistung.

Eine weitere Entwicklung ist zNAND-O. Die Technik verbindet eine effiziente Flächennutzung mit niedriger Latenz und höherer Ein-/Ausgabeleistung. Sie ist vor allem für Edge-KI-Systeme vorgesehen.

Gezeigt wurde auch LPDDR5X-PIM, Samsungs erster LPDDR5X-Speicher mit integrierter Datenverarbeitung. Ein Teil der Berechnungen kann direkt im Speicher stattfinden, wodurch weniger Daten zwischen den Komponenten übertragen werden müssen und das Gesamtsystem effizienter arbeitet.