Snapdragon 8 Elite Gen 6: 2‑nm, LPDDR6 und UFS 5.0 für die mobile KI‑Ära

Neue Details zum kommenden Flaggschiff-Prozessor von Qualcomm, dem Snapdragon 8 Elite Gen 6, sind aufgetaucht. Gerüchten zufolge entsteht die Plattform im 2‑nm‑Verfahren und unterstützt LPDDR6‑Arbeitsspeicher sowie UFS‑5.0‑Speicher. Unterm Strich deutet vieles darauf hin, dass sowohl Leistung als auch Energieeffizienz zulegen – zwei Faktoren, die für die nächste Welle KI‑zentrierter Funktionen den Ton angeben.

Mit den Upgrades bei Arbeitsspeicher und Datenspeicher soll der Snapdragon 8 Elite Gen 6 besser für KI‑Lasten gerüstet sein. LPDDR6 würde noch mehr Bandbreite liefern, während UFS 5.0 schnellere Lese‑ und Schreibzugriffe in Aussicht stellt. Geräte könnten so anspruchsvolle Berechnungen mit weniger Reibung abarbeiten. Die Marschrichtung ist klar: flüssigere KI‑Erlebnisse direkt auf dem Gerät.

Wie der Insider Digital Chat Station berichtet, plant Qualcomm die Fertigung im 2‑nm‑N2P‑Prozess von TSMC. Dieser Knoten könnte die Leistung gegenüber der 3‑nm‑Generation um rund 18 Prozent steigern oder den Energiebedarf um etwa 36 Prozent senken. Gleichzeitig hält ein Teil der Fachwelt es für möglich, dass Qualcomm den neuen Node erst 2026 übernimmt – ein Zeitplan, der zum gemächlichen Übergangstempo der Branche passen würde.

Analysten rechnen zudem damit, dass der Schritt zu einem fortschrittlicheren Prozess und der Einsatz neuer Speicherstandards die Produktionskosten erhöhen. In der Folge könnten nächste Flaggschiff‑Smartphones teurer werden – allen voran die Premium‑Modelle.

Der Snapdragon 8 Elite Gen 6 wird für Ende 2026 erwartet und zeichnet sich als einer der Schlüsselchips der mobilen KI‑Ära ab.