Samsung reconfigura su fábrica en Texas para chips GAA de 2 nm

Samsung se mueve para reforzar su posición en la carrera global de chips con un profundo reajuste de su estrategia de fabricación en EE. UU. La compañía abandona los planes para un proceso de 4 nm y apuesta por un nodo GAA de 2 nm más avanzado, un giro que podría acercarla a TSMC, el líder del sector. El núcleo del plan es la planta de Taylor (Texas), ya equipada con herramientas de litografía EUV necesarias para diseños de alta densidad.

La instalación estaba destinada inicialmente a producir a 4 nm, pero el rumbo ha cambiado. Samsung prioriza ahora la producción en masa de chips de 2 nm pese a los desafíos técnicos. La capacidad se incrementa: de unas 20.000 a 50.000 obleas al mes, con potencial para llegar a 100.000, lo que colocaría a la planta texana entre los pilares de fabricación del grupo.

Se espera que el primer chip en el nuevo nodo sea el Exynos 2600. Las tasas iniciales de rendimiento no fueron especialmente altas, pero han ido mejorando, lo que hace el proyecto cada vez más viable. En paralelo, Samsung acelera el desarrollo de la siguiente iteración, SF2P+, que podría asomar en un par de años. Una apuesta arriesgada, aunque calculada: el viraje apunta a saltarse una etapa intermedia y a medirse con los rivales en la frontera tecnológica.

El impulso también llega de un gran acuerdo con Tesla, valorado en unos 16.500 millones de dólares: Samsung fabricará chips AI6 para sistemas de conducción autónoma. Hay pedidos adicionales de empresas chinas del segmento del hardware cripto, aunque es probable que parte de esos contratos se ejecute fuera de EE. UU.

En conjunto, estos movimientos sugieren que Samsung no busca solo recortar distancia con TSMC, sino competir de tú a tú en procesos de vanguardia. Si mantiene el ritmo, la planta estadounidense podría convertirse en una piedra angular de su estrategia global y empujar el equilibrio de poder en semiconductores en los próximos años.