Danny Weber
Samsung desarrolla memoria HBM para móviles, mejorando el rendimiento de IA local. Con un nuevo empaquetado, logra un 30% más de velocidad sin aumentar consumo.
Samsung está desarrollando una nueva tecnología de memoria para teléfonos inteligentes y tabletas que podría mejorar significativamente el rendimiento de la IA en el dispositivo. El foco está en la memoria HBM de alta velocidad, que actualmente se usa principalmente en servidores y aceleradores de IA potentes.
Según un informe reciente, la compañía está adaptando la HBM específicamente para dispositivos móviles, ya que las versiones tradicionales son demasiado exigentes en cuanto a espacio, refrigeración y consumo energético. Samsung planea utilizar un empaquetado avanzado con Fan-Out Wafer Level Packaging (FOWLP), una técnica ya empleada en los procesadores móviles modernos.
El principal desafío es ofrecer un alto ancho de banda de memoria sin un aumento crítico de la temperatura o el consumo de energía. Para lograrlo, Samsung está desarrollando un nuevo diseño de apilamiento vertical que emplea pilares de cobre ultrafinos. Fuentes indican que la compañía ha aumentado significativamente la densidad de conexiones, lo que permite mejorar las velocidades de transferencia de datos en aproximadamente un 30 %.
La tecnología HBM puede acelerar notablemente el procesamiento local de IA en los teléfonos inteligentes, desde la generación de imágenes y asistentes de voz hasta funciones complejas de video y texto, todo sin depender de servidores en la nube.
Los rumores apuntan a que la primera plataforma de Samsung en incorporar esta memoria podría ser el próximo Exynos 2800 o posteriormente el Exynos 2900. Apple y Huawei también estarían explorando tecnologías similares.
Sin embargo, la adopción masiva de HBM en teléfonos inteligentes sigue siendo una propuesta costosa. Los precios de la DRAM móvil continúan en aumento, por lo que los fabricantes serán cautelosos a la hora de integrar estos componentes en dispositivos de consumo.
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