Danny Weber
Samsung ha creado un prototipo de V-NAND de 900 capas con tecnología CMB, un paso hacia las 1.000 capas. Esto permitirá SSD más densos para IA y centros de datos.
Samsung Electronics ha desarrollado un prototipo de V-NAND de 900 capas, una memoria flash vertical de próxima generación, según informan desde Insider Ice Universe y fuentes del sector. De confirmarse oficialmente, supondría un avance importante hacia el hito de las 1.000 capas, un objetivo largamente perseguido por la industria de la memoria NAND.
El prototipo, según se ha sabido, no se fabrica simplemente apilando capas en un solo dado, sino mediante la combinación de dos bloques de 450 capas empleando la tecnología CMB (Cell-on-Cell, o unión multicapa). Este método permite incrementar el número de capas y la densidad de almacenamiento, sorteando así algunos de los obstáculos tecnológicos que encuentran los fabricantes al escalar verticalmente la NAND.
Para Samsung, esta demostración cobra especial relevancia en un contexto de creciente demanda de almacenamiento en servidores, infraestructura de IA, PC y dispositivos móviles. La compañía ya produce V-NAND de novena generación; de hecho, en 2024 anunció la producción en masa de V-NAND TLC de 1 terabit, a la que siguió la V-NAND QLC de novena generación orientada a aplicaciones de inteligencia artificial.
Que exista un prototipo de 900 capas no significa que los SSD de consumo con esta memoria estén a la vuelta de la esquina. Entre el desarrollo en laboratorio y la producción en masa hay retos por superar: rendimiento, coste, fiabilidad, consumo energético y compatibilidad con los futuros controladores. No obstante, la validación exitosa de esta estructura demuestra que Samsung sigue avanzando hacia capacidades mucho más altas sin incrementar de forma proporcional el tamaño del dado.
Si la tecnología llega a producirse en volumen, podría sentar las bases para SSD de mucha mayor capacidad, desde unidades de consumo hasta soluciones empresariales para centros de datos. En un contexto de competencia con SK hynix, Micron, YMTC y otros, es crucial para Samsung no solo mantener su liderazgo en NAND, sino también demostrar que puede ser el primero en acercarse a la próxima generación de memoria flash ultradensa.
© A. Krivonosov