Danny Weber
13:21 12-08-2025
© A. Krivonosov
El Galaxy S26 Edge aparece en Geekbench con Snapdragon 8 Elite Gen 2, 12GB de RAM y pantalla de 6,7«. Rendimiento destacado y lanzamiento en septiembre.
El próximo buque insignia de Samsung, el Galaxy S26 Edge, ha aparecido en la base de datos de Geekbench mostrando el nuevo procesador Qualcomm Snapdragon 8 Elite Gen 2. En las pruebas, el dispositivo obtuvo 3.393 puntos en rendimiento de un solo núcleo y 11.515 en multinúcleo. El modelo probado funciona con Android 16, cuenta con 12 GB de memoria RAM y utiliza la GPU Adreno 840.
El procesador sigue una arquitectura «2+6», combinando núcleos de alto rendimiento con frecuencias de hasta 4,74 GHz y núcleos de eficiencia energética a 3,63 GHz. Estos valores han sido posibles gracias al proceso de fabricación TSMC N3P de 3 nanómetros, que mejora la eficiencia energética. Sin embargo, según fuentes internas, durante las pruebas los núcleos de alto rendimiento del Galaxy S26 Edge funcionaban a 4,0 GHz, lo que podría haber reducido ligeramente los resultados.
En AnTuTu, este chip ya ha alcanzado cerca de 3,8 millones de puntos, una cifra un 40,7% superior a la del anterior líder con Snapdragon 8 Elite. No obstante, Geekbench no refleja la estabilidad del rendimiento bajo cargas prolongadas, por lo que el comportamiento real en juegos y tareas exigentes dependerá de la refrigeración y del control del sobrecalentamiento.
El Galaxy S26 Edge incorporará una pantalla de 6,7 pulgadas y un diseño de cuerpo delgado. No se descarta un rendimiento superior en futuras pruebas, especialmente en el modelo de gama más alta, el Galaxy S26 Ultra. La presentación oficial del Snapdragon 8 Elite Gen 2 está prevista para el 23 de septiembre durante el Snapdragon Summit.