Danny Weber
16:33 17-10-2025
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Samsung alcanza 50% de rendimiento en HBM4 y amplía capacidad con litografía High‑NA. Prepara HBM4E y HBM5, y aumenta la competencia con SK hynix en memoria HBM.
Según TweakTown, Samsung ha alcanzado un rendimiento del 50 % en HBM4 fabricada sobre DRAM 1c y está ampliando de forma activa la capacidad para la producción en volumen de HBM4 y HBM4E. Fuentes señalan que la compañía ha adquirido cinco de los sistemas de litografía EUV de alta apertura numérica (High‑NA) más recientes de ASML: dos destinados al negocio de fundición y tres reservados exclusivamente para memoria. El reparto, por sí solo, apunta a una apuesta decidida por HBM.
Expertos del sector consideran que Samsung, en la práctica, está construyendo una línea dedicada a memoria, un paso que debería acelerar la producción masiva de HBM4 y, al mismo tiempo, preparar el terreno para HBM4E y HBM5. Por ahora, la operación de DRAM en la planta de Pyeongtaek produce unas 300.000 obleas al mes y la capacidad roza su límite. Parte de las nuevas herramientas podría redirigirse a la fábrica de Taylor (Texas) si llegan pedidos adicionales de clientes clave en Norteamérica, una opción que mantiene la rampa de producción con margen de maniobra.
Mientras tanto, su principal rival, SK hynix, sigue en cabeza y suministra a NVIDIA HBM3 y HBM3E para las GPU Blackwell. Analistas señalan que la inversión reforzada de Samsung en HBM inevitablemente intensificará la competencia en el mercado de memoria de alto rendimiento y prepara una carrera más reñida.