La serie Galaxy S26 traería RAM LPDDR5X a 10,7 Gbps y 12 GB mínimos. Dudas sobre si Exynos 2600 aprovechará la velocidad frente a Snapdragon 8 Elite.
© A. Krivonosov
El filtrador Ice Universe compartió noticias alentadoras para los fans de Samsung: aseguró que toda la serie Galaxy S26 llegará equipada con la RAM más rápida del mercado, LPDDR5X a 10,7 Gbps, y que esa memoria ya está en producción en masa. La configuración mínima, señaló, sería de 12 GB, un movimiento que anticipa un salto de rendimiento notable frente a los actuales Galaxy S25.
Hay un matiz, no obstante. El bloguero tecnológico Abhishek Yadav planteó la duda de si el Exynos 2600 de la casa puede manejar ese nivel de ancho de banda. El Snapdragon 8 Elite, al fin y al cabo, se queda en 9,67 Gbps, mientras que el soporte completo de 10,7 Gbps aparece únicamente en la siguiente generación, el Snapdragon 8 Elite Gen 5. Por ahora, la incógnita permanece.
Si el Exynos 2600 finalmente no logra exprimir la LPDDR5X a plena velocidad, los Galaxy S26 podrían ofrecer un comportamiento de memoria distinto según el mercado. Samsung suele montar Exynos en Europa y Corea del Sur y Snapdragon en Estados Unidos y China, lo que vuelve a sacar a la luz la cuestión de la paridad de rendimiento entre variantes.
Samsung no ha comentado la filtración. Si los detalles se confirman, la familia Galaxy S26 sería la primera de la marca en dar el salto a esta memoria de nueva generación, un cambio que, sobre el papel, no solo haría más ágil la interfaz, sino que también abriría margen para aprovechar el potencial de los próximos procesadores insignia.