Samsung prepara el lanzamiento del Exynos 2700, chipset de 2nm para Galaxy S27 en 2026. Aumentará ingresos internos y reducirá dependencia de Qualcomm.
© D. Novikov
Samsung se prepara para lanzar su próximo chipset de nueva generación, el Exynos 2700. Según fuentes de la industria, este procesador hará su debut en el cuarto trimestre de 2026. Se está desarrollando utilizando el proceso GAA de segunda generación de 2 nanómetros, conocido como SF2P. Se espera que este chip se convierta en un componente clave en la gama Galaxy S27, lo que ayudará a Samsung a fortalecer su posición en el mercado de SoC móviles.
El Exynos 2700 será exclusivo de la serie Galaxy S27, pero su impacto irá más allá de esta única línea de productos. Samsung LSI, la división responsable del desarrollo de chips, sensores y módems, suministrará el procesador a la unidad Mobile Experience. Este movimiento está destinado a impulsar los ingresos internos y fomentar el crecimiento en el negocio no relacionado con la memoria de la empresa. Las estimaciones sugieren que el Exynos 2700 podría representar hasta el 50% de todos los envíos de chipsets en la serie Galaxy S27, reduciendo así la dependencia de Samsung de las soluciones de Qualcomm.
De acuerdo con DigiTimes, se prevé que la producción en masa del Exynos 2700 comience a finales de 2026. El lanzamiento del chip podría generar alrededor de 163 mil millones de wones en beneficio operativo, equivalente a aproximadamente 113 millones de dólares para este segmento de negocio. El diseño básico para el proceso SF2P se finalizó el año pasado, y Samsung está promoviendo activamente la nueva tecnología como un avance significativo en la arquitectura de 2 nanómetros.
Sin embargo, persisten dudas sobre los rendimientos de producción. Los informes indican que la tasa de rendimiento actual para el proceso GAA de primera generación de 2 nanómetros es de alrededor del 50%, lo que parece modesto mientras la empresa realiza la transición a la siguiente versión. A pesar de esto, Samsung ya planea introducir SF2P+, la tercera generación de GAA de 2 nanómetros, en los próximos años, mostrando así una hoja de ruta ambiciosa para el desarrollo de su tecnología de semiconductores.