Samsung mejora rendimiento de proceso 2 nm con nuevos pedidos clave

Samsung avanza significativamente en el desarrollo de su avanzado proceso de fabricación de 2 nanómetros, que emplea la arquitectura de transistores Gate-All-Around (GAA). Según informes recientes, la tasa de rendimiento general de este proceso ha alcanzado aproximadamente el 60%, lo que supone una mejora notable respecto al 50% reportado en enero. Este progreso resulta aún más impresionante si se compara con la segunda mitad de 2025, cuando los rendimientos rondaban solo el 20%, lo que representa un aumento de más del triple.

Sin embargo, la situación sigue siendo difícil para el chip Exynos 2600 de Samsung, desarrollado internamente. Su tasa de rendimiento aún no supera el 50%, aunque incluso esta cifra supone un avance sustancial respecto a las primeras etapas de producción. Vale la pena señalar que Samsung no suele revelar datos precisos de rendimiento para sus nodos de fabricación, por lo que estas estimaciones provienen de fuentes de la industria.

Un factor clave detrás de estas mejoras en los rendimientos han sido los nuevos pedidos de clientes, incluidos importantes fabricantes de hardware para minería de Bitcoin como Canaan y MicroBT. La creciente demanda de estas empresas ha proporcionado a Samsung un incentivo adicional para acelerar la optimización de la producción y mejorar la eficiencia de su línea de 2 nm.

Aunque Samsung aún va por detrás de TSMC en la carrera por la fabricación avanzada de semiconductores, la empresa está cerrando gradualmente la brecha al asegurar más pedidos. Uno de sus logros más significativos recientemente fue conseguir un contrato de 16.500 millones de dólares con Tesla para producir chips AI6 para sistemas de conducción autónoma. En este contexto, Samsung se ha fijado un objetivo ambicioso: aumentar los pedidos para su proceso de 2 nm en un 130% en 2026, un movimiento que podría fortalecer sustancialmente su posición en el mercado.