Samsung Galaxy S27 Ultra: salto tecnológico con RAM LPDDR6 y Snapdragon 8 Elite

Samsung estaría preparando un salto tecnológico importante para su próximo buque insignia, el Galaxy S27 Ultra. Los últimos rumores sugieren que este dispositivo podría ser uno de los primeros teléfonos inteligentes en incorporar la nueva memoria RAM LPDDR6, lo que promete un aumento notable de rendimiento.

Este nuevo tipo de memoria ofrecería un mayor ancho de banda y una mejor eficiencia energética en comparación con el estándar LPDDR5X actual. En la práctica, esto se traduciría en una multitarea más fluida, una carga de aplicaciones más rápida y un mejor rendimiento en tareas que requieren muchos recursos, como los juegos móviles y las funciones basadas en inteligencia artificial.

Se espera que el teléfono funcione con el chip Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro, una versión más potente del nuevo procesador insignia de Qualcomm. Podría incluir un acelerador gráfico Adreno 850 mejorado con 18 MB de memoria GMEM, mientras que la versión estándar del chip, según los rumores, utilizaría un Adreno 845 con 12 MB. Ambas variantes se fabricarían supuestamente con el proceso de 2 nm de TSMC y emplearían una configuración de núcleos 2+3+3.

A pesar del desarrollo continuo de sus propios chips Exynos 2700 y 2800, Samsung probablemente seguirá dependiendo de las soluciones de Qualcomm para el modelo Ultra en la mayoría de las regiones. Sin embargo, la adopción de estas nuevas tecnologías podría afectar al precio del dispositivo, ya que el aumento de los costes de memoria y componentes ya está presionando al mercado.

Si esta información resulta precisa, el Galaxy S27 Ultra podría ser uno de los primeros teléfonos inteligentes en realizar una transición completa a la nueva generación de hardware móvil, lo que potencialmente marcaría la dirección para toda la industria en los próximos años.