El insider Jukan informó de que Samsung Electronics prepara la producción masiva de DRAM de séptima generación de clase 10 nm, más conocida como 1d DRAM. Según sus datos, la compañía ya trabaja con varios socios en el equipo para el nuevo proceso y espera empezar a introducirlo en el segundo trimestre del próximo año.
La 1d DRAM se refiere a memoria con líneas de unos 10–11 nm. Como referencia, la actual 1c DRAM de sexta generación se estima en torno a 11–12 nm. Cuanto menor es esa cifra, mayor puede ser el rendimiento y la eficiencia energética de la memoria. Con la demanda al alza desde servidores, aceleradores de IA y HBM, incluso esa diferencia importa.
Samsung ya realiza evaluaciones internas, incluidos primeros prototipos de 1d DRAM. Antes se había especulado con que la empresa podría pasar a la producción masiva ya este año, pero fuentes del sector ven ese escenario poco probable. El motivo es sencillo: el equipo clave para 1d DRAM parece seguir en desarrollo.
Según el insider, Samsung está hablando ahora con sus socios sobre la introducción del equipo de producción en el segundo trimestre del próximo año. Si se suma el tiempo necesario para ajustar las líneas y preparar la fabricación, el arranque real de la producción masiva podría no llegar antes de finales del próximo año. Se espera un calendario más claro hacia finales de este año.
Fuentes de la industria señalan que Samsung trabaja activamente para estabilizar el rendimiento de fabricación y las características de la 1d DRAM. Para la compañía no es solo otra reducción de proceso, sino una pieza importante de su estrategia futura en memoria para inteligencia artificial.
Se espera que la 1d DRAM sea el chip base de HBM5E, la novena generación de memoria de alto ancho de banda, cuya comercialización se prevé para 2029. Si Samsung logra llevar el nuevo proceso a tiempo, podría reforzar su posición en la carrera contra SK Hynix y Micron.