Samsung presentó varias tecnologías de memoria y almacenamiento de nueva generación en el evento Future of Memory and Storage de Santa Clara. La mayoría está pensada para centros de datos, aceleradores de inteligencia artificial y sistemas de computación en el borde.
Una de las novedades más destacadas fue el concepto zHBM. En esta arquitectura, la memoria HBM se coloca directamente encima del acelerador de IA, en lugar de situarse a su lado. Según Samsung, esta disposición podría multiplicar por ocho el rendimiento frente a los diseños tradicionales. Para fabricar zHBM, la compañía prevé utilizar una tecnología de unión de obleas de nueva generación. Esta debería ofrecer más de diez veces la densidad de memoria de HBM5 y, al mismo tiempo, triplicar la eficiencia energética.
Samsung también mostró V10 BV-NAND, un nuevo tipo de memoria flash vertical para unidades SSD, tarjetas de memoria y otros dispositivos de almacenamiento. La arquitectura Bonding V-NAND permite unir más de 400 capas de celdas, elevando la densidad cerca de un 58 % frente a la generación V9. La empresa también anuncia mejoras en lectura, escritura y operaciones de entrada y salida.
Otra de las propuestas fue zNAND-O, que combina un uso eficiente del espacio, baja latencia y un mayor rendimiento de entrada y salida. La solución está orientada principalmente a sistemas de IA en el borde.
La compañía también enseñó LPDDR5X-PIM, su primera memoria LPDDR5X con procesamiento de datos integrado. Esta tecnología permite ejecutar parte de los cálculos dentro de la propia memoria, reduciendo el movimiento de información entre componentes y mejorando la eficiencia general del sistema.