Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro saavuttaa 5,0 GHz:n kellotaajuuden

Qualcommin seuraava lippulaivaprosessori saattaa mullistaa mobiililaitteiden suorituskyvyn. Sisäpiirin tietojen mukaan Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro -piiri voi taata vähintään 5,0 GHz:n kellotaajuuden suorituskykyytimilleen. Tämä on aikaisemmin älypuhelimille mahdottomaksi luultu saavutus.

Snapdragon 8 Elite Gen 6 ja sen tehokkaampi Pro-versio odotetaan markkinoille vuoden 2026 jälkipuoliskolla. Molemmat siirtyvät todennäköisesti TSMC:n 2nm N2P-valmistusprosessiin, mikä nostaa taajuuksia mutta ei poista lämpörajoituksia. Uusin huhu viittaa ratkaisuun uuden jäähdytysteknologian muodossa.

Ensitestit antavat ymmärtää, että Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro saavuttaa 5,5–6,0 GHz:n taajuudet, vähimmäistakuun ollessa tasan 5,0 GHz. Vertailun vuoksi: nykyinen Snapdragon 8 Elite Gen 5 yltää noin 4,61 GHz:iin, ja huhuttu Galaxy S26 -erikoismalli saattaisi päästä noin 4,74 GHz:ään.

Qualcommin kerrotaan hyödyntävän Samsungin Heat Pass Block -teknologiaa, jota käytettiin aiemmin Exynos 2600 -piirissä. Tämä parantaa lämmönsiirtoa piirin sisällä ja vähentää suorituskyvyn heikentymistä, mahdollistaen korkeiden taajuuksien ylläpidon. Apple sen sijaan keskittyy odotettavasti energiatehokkuuteen ja arkkitehtuurin parannuksiin tulevissa A20- ja A20 Pro -piireissään, eikä kilpaile gigahertseissä.

Merkittävää on, että Qualcomm mainostaa jo 5,0 GHz:n taajuuksia kannettavien tietokoneiden Snapdragon X2 Elite Extreme -piirissään. Tämä vahvistaa uskoa siihen, että mobiiliversio pystyy rikkomaan tämän psykologisen rajan.