Danny Weber
Samsung aloittaa HBM4E-muistien testauksen. DRAM- ja NAND-hinnat nousseet yli 90 %. Laajentaa tuotantoa 2 nm:llä ja Taylor-tehtaalla. Tekoälybuumi vauhdittaa muistimyyntiä.
Julkaistuaan vuoden 2026 ensimmäisen neljänneksen tuloskatsauksensa Samsung Electronics on kääntänyt katseensa tiukasti muistiliiketoimintaan ja paljastanut uusia strategisia yksityiskohtia. Huomionarvoisinta on, että yhtiö aikoo aloittaa seuraavan sukupolven HBM4E-muistien testauksen toisella vuosineljänneksellä – tätä pidetään laajasti ratkaisevana askeleena tekoälyn ja suurteholaskennan kehityksessä.
Samanaikaisesti markkinoilla koetaan dramaattista hinnannousua: DRAM-keskihinnat ovat kohonneet yli 90 prosenttia vuoden takaisesta, ja NAND-flash seuraa lähes identtistä käyrää. Tämä piikki kertoo kiristyvästä kilpailusta tuotantokapasiteetista, kun suuret toimijat syytävät investointeja tekoälyinfrastruktuuriin ja varmistelevat komponenttitoimituksia hyvissä ajoin.
Samsung ennakoi HBM-muistien myynnin kolminkertaistuvan vuonna 2026, ja kolmanteen neljännekseen mennessä yli puolet segmentin liikevaihdosta odotetaan syntyvän uudesta HBM4-sukupolvesta. Lukijoille, jotka seuraavat alan trendejä, tämä korostaa laajempaa käännettä kohti massiiviseen datankäsittelyyn ja koneoppimiseen suunniteltuja ratkaisuja.
Yhtiö kasvattaa myös tuotantokapasiteettiaan. Vuoden jälkipuoliskolla odotetaan otettavan käyttöön toisen sukupolven 2 nanometrin valmistusprosessi mobiililaitteille, ja rinnalla jatkuu 4 nm:n ratkaisujen kehitys, mukaan lukien erilliset tekoälypiirit. Yhdysvalloissa Taylor-hanke kiihtyy, kun tehdaskapasiteettia ajetaan ylös kohti vuoden 2027 massatuotantoa.
Lisäksi Samsung panostaa premium-tuotteisiin ja uusiin näyttöteknologioihin, mukaan lukien 8.6-sukupolven IT OLED -paneelien massatuotanto. Nousevien komponenttihintojen ja kiristyvän kilpailun keskellä strategia nojaa teknologiseen johtajuuteen ja tuotannon mittakaavaan markkina-aseman vahvistamiseksi.
© A. Krivonosov