Danny Weber
Samsung kehittää HBM-muistia älypuhelimiin ja tabletteihin nopeuttaakseen tekoälykäsittelyä. Uusi FOWLP-pohjainen tekniikka parantaa tiedonsiirtonopeutta.
Samsung on kehittämässä uutta muistitekniikkaa älypuhelimille ja tableteille, joka voisi parantaa huomattavasti laitteiden omaa tekoälytehoa. Kyse on nopeasta HBM-muistista, jota käytetään tällä hetkellä lähinnä palvelimissa ja tehokkaissa tekoälykiihdyttimissä.
Tuoreen raportin mukaan yhtiö sovittaa HBM-muistia erityisesti mobiililaitteisiin, koska perinteiset versiot ovat liian vaativia tilan, jäähdytyksen ja virrankulutuksen suhteen. Samsung aikoo hyödyntää edistynyttä pakkaustekniikkaa nimeltä Fan-Out Wafer Level Packaging (FOWLP), joka on jo käytössä nykyaikaisissa mobiiliprosessoreissa.
Keskeinen haaste on tarjota korkea muistikaistanleveys ilman lämpötilan tai virrankulutuksen merkittävää nousua. Tätä varten Samsung kehittää uutta pystysuuntaista pinousrakennetta, jossa käytetään erittäin ohuita kuparipylväitä. Lähteiden mukaan yhtiö on kasvattanut liitäntöjen tiheyttä huomattavasti, mikä mahdollistaa noin 30 prosenttia nopeammat tiedonsiirtonopeudet.
HBM-tekniikka voi nopeuttaa huomattavasti älypuhelinten paikallista tekoälyprosessointia – kuvien luonnista ja ääniassistenteista monimutkaisiin video- ja tekstitoimintoihin – ilman pilvipalvelinten apua.
Huhujen mukaan ensimmäinen Samsungin alusta, jossa tätä muistia käytetään, saattaa olla tuleva Exynos 2800 tai myöhempi Exynos 2900. Myös Applen ja Huawein kerrotaan tutkivan vastaavia tekniikoita.
HBM-muistin laajamittainen käyttöönotto älypuhelimissa on kuitenkin edelleen kallis hanke. Mobiili-DRAM-hinnat nousevat jatkuvasti, joten valmistajat suhtautuvat varovaisesti tällaisten komponenttien integrointiin kuluttajalaitteisiin.
© RusPhotoBank