Danny Weber
Samsung esitteli zHBM:n, V10 BV-NANDin, zNAND-O:n ja LPDDR5X-PIM:n tekoälykiihdyttimiin, datakeskuksiin ja reunajärjestelmiin.
Samsung esitteli Santa Clarassa järjestetyssä Future of Memory and Storage -tapahtumassa useita uuden sukupolven muisti- ja tallennusteknologioita. Suurin osa niistä on suunnattu datakeskuksiin, tekoälykiihdyttimiin ja reunalaskentajärjestelmiin.
Yksi tärkeimmistä uutuuksista on zHBM-konsepti. Tässä arkkitehtuurissa HBM-muisti sijoitetaan suoraan tekoälykiihdyttimen päälle sen sijaan, että se olisi sen vieressä. Samsungin arvion mukaan ratkaisu voi tarjota jopa kahdeksankertaisen suorituskyvyn perinteisiin rakenteisiin verrattuna. zHBM:n valmistuksessa yhtiö aikoo käyttää uuden sukupolven kiekkojen liitostekniikkaa. Sen on määrä tarjota yli kymmenkertainen muistitiheys HBM5:een verrattuna ja samalla kolminkertaistaa energiatehokkuus.
Samsung esitteli myös V10 BV-NANDin, uudenlaisen pystysuuntaisen flash-muistin SSD-asemiin, muistikortteihin ja muihin tallennuslaitteisiin. Bonding V-NAND -arkkitehtuuri voi yhdistää yli 400 solukerrosta, mikä kasvattaa tiheyttä noin 58 prosenttia V9-sukupolveen verrattuna. Yhtiö lupaa myös parempaa luku-, kirjoitus- ja I/O-suorituskykyä.
Toinen kehityskohde on zNAND-O, joka yhdistää tehokkaan tilankäytön, pienen viiveen ja paremman I/O-suorituskyvyn. Ratkaisu on tarkoitettu erityisesti reunalaskennan tekoälyjärjestelmiin.
Yhtiö esitteli lisäksi LPDDR5X-PIM-muistin, joka on Samsungin ensimmäinen sisäänrakennettua datankäsittelyä hyödyntävä LPDDR5X-muisti. Osa laskennasta voidaan tehdä suoraan muistissa, mikä vähentää tiedonsiirtoa komponenttien välillä ja parantaa koko järjestelmän tehokkuutta.
© RusPhotoBank