Samsungin Galaxy S26 ja S26+ Exynos 2600: 2 nm -piiri ilman integroitua modeemia. Mitä tämä tarkoittaa akun kestolle, suorituskyvylle ja yhteyksille? Lue lisää.
© A. Krivonosov
Samsung valmistelee jälleen eri versioita tulevista Galaxy S26 -huippumalleistaan, ja Exynos-vaihtoehto herättää jo kysymyksiä. Sisäpiirin mukaan uudet Exynos 2600 -piiriin perustuvat Galaxy S26 ja S26+ tukeutuvat ulkoiseen matkapuhelinmodeemiin — poikkeuksellinen ratkaisu nykyisten huippupiirien maailmassa.
Raporttien perusteella Exynos 2600 — Samsungin ensimmäinen 2 nm:n älypuhelinprosessori — ei sisällä integroitua modeemia. Sen pariksi on mainittu erillinen ratkaisu, todennäköisesti Exynos 5410. Samsung Semiconductorin edustajat ovat epäsuorasti viitanneet siihen, että 2 nm -alusta käyttää nimenomaan ei-integroitua modeemia.
Tyypillisesti modeemin tuominen samalle sirulle auttaa pienentämään virrankulutusta, vähentämään lämpöä ja lyhentämään viiveitä. Näin on toteutettu valtaosa nykyisistä järjestelmäpiireistä, mukaan lukien aiemmat Exynos-sukupolvet ja Qualcommin mallit. Erillisiä modeemeja on sen sijaan usein moitittu heikomasta energiatehokkuudesta — Snapdragon 865 on tuttu esimerkki, joka keräsi aikoinaan ristiriitaisia arvioita.
Jos historia toistaa itseään, Exynos-versiot Galaxy S26:sta voivat kuluttaa enemmän akkua mobiilidatan, puheluiden ja hotspotin käytön aikana. Ero voi korostua heikon verkon alueilla, joissa modeemin työkuorma kasvaa.
Samaan aikaan erilliseen modeemiin nojaaminen voi olla Samsungilta tietoinen siirto. Se yksinkertaistaa 2 nm -piirin kehitystä, pienentää valmistusriskiä ja vapauttaa tilaa laskentayksiköille. Paperilla vaihtokauppa kuulostaa järkevältä, vaikka vaikutus akkukestoon selviää vasta, kun puhelimet saapuvat myyntiin.
Tällä hetkellä Exynos 2600:lla varustettu Galaxy S26 näyttää yhtä aikaa edelläkävijältä ja kiistakapulalta. Sähkönsäästöä ja vakaata yhteyttä arvostavat käyttäjät saattavat kallistua Snapdragon-versioihin — ainakin siihen asti, kunnes riippumattomat testit antavat lopullisen vastauksen.