Samsung suunnittelee Exynos-mobiiliprosessoreille SbS-pakkausta, joka parantaa jäähdytystä ja energiatehokkuutta. Prosessori ja DRAM vierekkäin – Galaxy Z.
© D. Novikov
Samsung valmistelee uutta tapaa parantaa Exynos-mobiiliprosessorien jäähdytystä. Lähteiden mukaan yhtiö pohtii side-by-side (SbS) -pakkauksen käyttöönottoa, joka voisi tuntuvasti hillitä lämpöä ja parantaa tulevien SoC-piirien energiatehokkuutta. Ratkaisu tuntuu luontevalta jatkolta viime vuosien kehitykselle.
Exynos on saanut pitkään moitteita ylikuumenemisesta ja korkeasta tehonkulutuksesta, vaikka suunta on viime aikoina selvästi parantunut. Esimerkiksi Exynos 2600 hyödyntää Heat Path Block -teknologiaa: ohutta kuparikerrosta, joka nopeuttaa lämmön siirtymistä pois sirulta. Nykyiset Exynos-piirit tukeutuvat FOWLP-pakkaukseen, jossa kontaktit viedään sirun ulkopuolelle. Tämä helpottaa lämpökuormaa, muttei ilman varauksia. Keskeinen ongelma on, että RAM ja HPB-kerros lepäävät prosessorin päällä. Tässä pinossa lämpö poistuu sirusta tehokkaasti, mutta DRAMin lämpenemistä on vaikeampi hallita – asettelu on käytännössä näyttäytynyt kompromissina. SbS-rakenne on tarkoitettu tämän korjaamiseen.
SbS-asettelussa prosessori ja DRAM sijoitetaan vierekkäin, ja HPB-kerros peittää molemmat kerralla. Näin lämpö pääsee purkautumaan sekä laskentaytimestä että muistista aiempaa nopeammin, ja kokonaiskorkeus pienenee – etu, joka on erityisen tärkeä ohuissa älypuhelimissa.
Vastineena paksuus kyllä pienenee, mutta paketin pinta-ala kasvaa vaakasuunnassa. Jos laitevalmistajat eivät näe tätä vakavana rajoitteena, Samsung saattaa ottaa SbS-pakkauksen Exynokselle pysyvästi käyttöön. Odotukset viittaavat siihen, että ensimmäiset tällä rakenteella varustetut prosessorit nähdään Galaxy Z -sarjassa, jossa jokainen paksuuden sadasmillimetri on arvossa ja lämmönhallinnan uudelleenarviointi tuntuu käytännölliseltä liikkeeltä.