Samsung panostaa tekoälymarkkinoille HBM4-muisteilla

Samsung panostaa tekoälymarkkinoille ja aikoo kasvattaa voittojaan merkittävästi lisäämällä erikoistuneiden HBM4-muistien tuotantoa. Nämä kuudennen sukupolven suurikaistaiset sirut tulevat olemaan avainkomponentteja Nvidian ja AMD:n seuraavan sukupolven tekoälykiihdyttimissä. Toisin kuin perinteiset DDR-muistit, nämä ratkaisut tarjoavat valmistajille huomattavasti parempia marginaaleja, mikä tekee tästä suunnasta erityisen houkuttelevan.

Tiedon mukaan yhtiö pyrkii nostamaan HBM4 DRAM -muistien tuotantoa 120 000 piikiekkoon kuukaudessa. Kyseessä on merkittävä liike, joka vaatii huomattavia investointeja, mutta Samsung selvästi tavoittelee johtavaa asemaa tekoälylaskennan räjähdysmäisen kasvun keskellä. Kiihdytinmarkkinat laajenevat nopeasti, ja samaan aikaan suurikaistaisten muistien hinnat nousevat.

Tuen tälle laajentumiselle Samsung päivittää P4-linjaansa Pyeongtaekin tehtaallaan asentamalla uutta laitteistoa ja parantaen nykyisiä prosesseja. Yhtiö ei pyri vain tuotantomäärien kasvattamiseen, vaan myös tuotannon tehokkuuden parantamiseen kilpaillakseen tasaveroisesti SK Hynixin ja Micronin kanssa.

Huomionarvoista on, että Samsung jäi hiljattain kilpailijoista jälkeen HBM3E-segmentissä, mutta tilanne on nyt muuttumassa. Alustavien tietojen mukaan Samsungin HBM4 voi ylittää kilpailijoiden vastaavat tuotteet suorituskyvyssä kehittyneemmän valmistusprosessin ansiosta. Jos yhtiö pystyy saavuttamaan ilmoitetut tuotantomäärät johdonmukaisesti, se voi paitsi saavuttaa kilpailijat myös asettaa vauhtia koko tekoälymuistimarkkinoille.