Samsung Exynos 2700 -siru: Uusi sukupolvi Galaxy S27:ssä vuoden 2026 lopulla
Samsung kehittää Exynos 2700 -sirua 2-nanometrin SF2P-prosessilla. Siru tulee Galaxy S27 -puhelimiin vuonna 2026 ja vähentää riippuvuutta Qualcommista.
Samsung kehittää Exynos 2700 -sirua 2-nanometrin SF2P-prosessilla. Siru tulee Galaxy S27 -puhelimiin vuonna 2026 ja vähentää riippuvuutta Qualcommista.
© D. Novikov
Samsung on valmistamassa seuraavan sukupolven siruaan, Exynos 2700:sta, jonka alan lähteet kertovat saapuvan markkinoille vuoden 2026 neljännellä neljänneksellä. Suoritin kehitetään käyttäen toisen sukupolven 2-nanometrin GAA-prosessia, joka tunnetaan nimellä SF2P. Sirusta odotetaan tulevan keskeiseksi komponentiksi Galaxy S27 -mallistossa, mikä auttaa Samsungia vahvistamaan asemaansa mobiiliprosessorimarkkinoilla.
Vaikka Exynos 2700 on tarkoitettu yksinomaan Galaxy S27 -sarjalle, sen vaikutus ulottuu kauemmaksi kuin tähän yhteen tuoteperheeseen. Samsung LSI, joka vastaa sirujen, sensorien ja modeemien kehityksestä, toimittaa prosessorin Mobile Experience -yksikölle. Tämä liiketoimi on tarkoitettu lisäämään sisäisiä tuloja ja vauhdittamaan yrityksen ei-muistipohjaisen liiketoiminnan kasvua. Arvioiden mukaan Exynos 2700 voi muodostaa jopa 50 prosenttia kaikista Galaxy S27 -sarjan sirutoimituksista, mikä vähentää Samsungin riippuvuutta Qualcomm-ratkaisuista.
DigiTimesin mukaan Exynos 2700:n sarjavalmistus on määrä alkaa vuoden 2026 lopulla. Sirun lanseeraus voi tuottaa noin 163 miljardia wonin liikevoittoa, mikä vastaa noin 113 miljoonaa dollaria tälle liiketoiminta-alueelle. SF2P-prosessin perusrakenne viimeisteltiin viime vuonna, ja Samsung markkinoi aktiivisesti uutta teknologiaa merkittävänä edistysaskeleena 2-nanometrin arkkitehtuurissa.
Kysymyksiä kuitenkin herää tuotannon saantoihin liittyen. Raporttien mukaan ensimmäisen sukupolven 2-nanometrin GAA-prosessin nykyinen saanto on noin 50 prosenttia, mikä vaikuttaa maltilliselta siirtyessä seuraavaan versioon. Tästä huolimatta Samsung suunnittelee jo SF2P+:n – kolmannen sukupolven 2-nanometrin GAA-prosessin – käyttöönottoa tulevina vuosina, mikä kertoo kunnianhimoisesta teknologiatiekartasta puolijohdekehityksessään.