Samsung edistää 2nm-valmistusprosessiaan, jossa tuottoaste on noussut 60 prosenttiin. Lue lisää Exynos 2600:n tilasta ja uusista asiakastilauksista.
© D. Novikov
Samsung edistää merkittävästi kehittyvän 2-nanometrin valmistusprosessinsa kehitystyötä, jossa käytetään Gate-All-Around (GAA) -transistorirakennetta. Viimeaikaiset raportit osoittavat, että prosessin kokonaistuottoaste on noussut noin 60 prosenttiin, mikä on huomattava parannus tammikuussa raportoidusta 50 prosentista. Tämä edistys on erityisen vaikuttava verrattuna vuoden 2025 jälkipuoliskolle, jolloin tuottoasteet kelluivat vain noin 20 prosentin tuntumassa – mikä tarkoittaa yli kolminkertaista kasvua.
Samsungin oman Exynos 2600 -piirin tilanne on kuitenkin edelleen haastava. Sen tuottoaste ei ole vieläkään ylittänyt 50 prosenttia, vaikka tämä luku edustaa jo huomattavaa edistystä varhaisista tuotantovaiheista. Tämä yksityiskohta on merkittävä, sillä Samsung ei yleensä julkista tarkkoja tuottoasteitaan valmistusprosesseissaan, joten nämä arviot perustuvat alan lähteisiin.
Parantuneiden tuottoasteiden taustalla on uudet asiakastilaukset, mukaan lukien suurilta Bitcoin-kaivauslaitteiden valmistajilta kuten Canaanilta ja MicroBT:ltä. Näiden yritysten kasvava kysyntä on antanut Samsungille lisäinsentiiviä nopeuttaa tuotannon optimointia ja parantaa 2nm-linjan tehokkuutta.
Vaikka Samsung vielä jää jälkeen TSMC:stä kehittyneiden puolijohdevalmistusten kilpailussa, yritys kaventaa vähitellen eroa hankkimalla lisää tilauksia. Yksi sen merkittävimmistä saavutuksista viime aikoina on ollut 16,5 miljardin dollarin Tesla-sopimus AI6-piirien valmistuksesta autonomisia ajoneuvojärjestelmiä varten. Tässä yhteydessä Samsung on asettanut kunnianhimoisen tavoitteen: kasvattaa 2nm-prosessin tilauksia 130 prosenttia vuonna 2026, mikä voisi merkittävästi vahvistaa sen markkina-asemaa.