UAES, InnoScience ja Naixinwei kehittävät GaN-pohjaista tehoelektroniikkaa sähköautoihin: lisää energiatiheyttä, korkeampi hyötysuhde ja kevyempi rakenne.
© A. Krivonosov
1. lokakuuta InnoScience, United Automotive Electronic Systems (UAES) ja Naixinwei kertoivat allekirjoittaneensa strategisen yhteistyösopimuksen, jonka tavoitteena on kehittää innovatiivisia galliumnitridiin (GaN) perustuvia tuotteita seuraavan sukupolven sähköautoihin. Kyse on ajankohtaisesta avauksesta alalle, jossa ratkaisut kypsyvät nopeasti kaupalliseen mittakaavaan.
Yhteiskehitys keskittyy GaN-teknologian integrointiin tehoelektroniikkaan, jotta energiatiheys, luotettavuus ja hyötysuhde saadaan uudelle tasolle. Verrattuna perinteisiin piipohjaisiin ratkaisuihin GaN mahdollistaa kompaktimman suunnittelun ja auttaa vähentämään painoa sekä energiankulutusta — hyödyt, jotka korostuvat sähköistymisessä ja ajoneuvojen keventämisessä. Käytännössä tämä tarkoittaa vähemmän massaa ja vähemmän hukkaa, ilman kompromisseja suorituskyvyssä.
Yhteistyö kokoaa yhteen toisiaan täydentävät vahvuudet: UAESin osaamisen ajoneuvojärjestelmien integraatiossa, Naixinwein kyvykkyyden suorituskykyisten analogisten ja sekasignaalipiirien suunnittelussa sekä InnoSciencen erikoistumisen teho-GaN-komponentteihin. Kokonaisuutena kuvio vaikuttaa käytännölliseltä vedolta, jonka tavoitteena on nostaa GaN sähköautojen tehoelektroniikan peruspalikaksi. Yritykset kertoivat tähtäävänsä toimialarajat ylittävän innovaatioalustan rakentamiseen ja uusien valmistusratkaisujen käyttöönoton kiihdyttämiseen, mikä tukee kestävää kehitystä ja sähköautosektorin nousevaa arvoa.