Samsung aloitti High Bandwidth Flashin (HBF) kehityksen: suurikaistainen flash datakeskuksiin ja tekoälyyn, nopeuttaa IO:ta ja vähentää SSD-pullonkauloja.
© A. Krivonosov
Eteläkorealainen fnnews kertoo, että Samsung Electronics on käynnistänyt High Bandwidth Flashin (HBF) varhaisen kehityksen — uuden, datakeskuksiin ja tekoälyjärjestelmiin suunnatun nopean flash-muistin luokan. Yhtiö on siirtynyt konseptisuunnitteluun ja alustaviin tutkimuksiin, mutta tarkat tekniset tiedot ja julkaisuaikataulu ovat vielä auki.
Toimialalla hahmottuu kaksi lähestymistapaa HBF:ään. Ensimmäinen on niin sanottu HBM:n NAND-versio, jonka SanDisk esitti ensimmäisenä ja jota SK Hynix tukee. Toinen tulee Kioxialta, joka on aiemmin esitellyt PCIe-laitteen, jossa on useiden teratavujen kapasiteetti ja korkea läpivienti. Kaksiraiteinen asetelma jättää Samsungille strategisen valinnan, eikä vielä ole selvää, kumpaa polkua yhtiö lähtee kulkemaan.
Nykyisen tekoälyn mittakaavassa perinteiset NAND-pohjaiset SSD-asemat muodostuvat yhä useammin pullonkaulaksi: ne eivät pysy valtavien datamäärien vauhdissa raskaissa kuormissa. Tämän vuoksi valmistajat tutkivat välitasoja NANDin ja DRAMin väliin. Samsungin oma Z-NAND voisi olla käyttökelpoinen MLS/SLM-kerroksessa ja tarjota tasapainon nopeuden ja luotettavuuden välillä.
Tässä kehyksessä HBF nousee tallennusmarkkinan seuraavaksi kuumaksi rintamaksi, kun johtavat muistivalmistajat yrittävät varmistaa asemansa ennen kuin infrastruktuurin kysyntä huipentuu. Suunta on selvä: se, joka rakentaa ensimmäisenä uskottavan, päästä päähän ulottuvan kokonaisuuden, tulee pitkälti ohjaamaan, miten luokka kypsyy.
Saatavilla olevien tietojen perusteella siirtymä suurikaistaiseen flashiin voisi antaa Samsungille todellisen etulyöntiaseman tekoälyinfrastruktuurissa. Yhtiöllä on jo palikat, kuten Z-NAND, täydellinen muistin valmistus- ja pakkausketju sekä vahva jalansija AI-palvelinekosysteemeissä — etuja, jotka helpottavat nopeaa sopeutumista ja integroitujen datakeskustuotteiden toimittamista.
Riskejäkin on selvästi. Flash jää edelleen DRAMin jälkeen viiveessä ja luotettavuudessa; markkina tarvitsee standardointia ja laajaa ekosysteemitukea; ja kilpailijat, kuten SanDisk ja SK Hynix, vievät omia ratkaisujaan eteenpäin. Myös lämpörajoitteet ja kustannukset voivat hidastaa käyttöönottoa. Samsungin menestys riippuu lopulta siitä, pystyykö yhtiö etenemään vaihtoehtoisia polkuja — CXL-moduuleista AI-SSD:ihin — nopeammin.