Samsung Electronics on kehittänyt prototyypin 900-kerroksisesta V-NAND-muistista, kertoo alan sisäpiiriläinen Ice Universe ja alan tiedotusvälineet. Jos tieto vahvistetaan virallisesti, se olisi merkittävä askel kohti 1000 kerroksen virstanpylvästä, jota on pitkään pidetty NAND-muistialan keskeisenä tavoitteena.
Prototyyppi ei perustu pelkkään kerrosten pinoamiseen yhdelle sirulle, vaan se on toteutettu yhdistämällä kaksi 450-kerroksista lohkoa CMB-tekniikalla (Cell-on-Cell/multi-layer bonding). Tämä lähestymistapa lisää kerrosten määrää ja tallennustiheyttä samalla, kun se kiertää joitakin teknologisia haasteita, joita valmistajat kohtaavat pystysuuntaisen NAND-muistin skaalaamisessa.
Samsungille tämä prototyyppi on erityisen tärkeä, kun tallennustilan kysyntä palvelimissa, tekoälyinfrastruktuurissa, tietokoneissa ja mobiililaitteissa kasvaa. Yritys valmistaa jo yhdeksännen sukupolven V-NAND-muisteja: vuonna 2024 se ilmoitti 1 terabitin TLC V-NAND -muistin massatuotannosta, minkä jälkeen se esitteli yhdeksännen sukupolven QLC V-NAND -muistit tekoälysovelluksiin.
900-kerroksinen prototyyppi ei tarkoita, että kuluttajille tarkoitetut SSD-asemat tällä muistilla olisivat tulossa pian. Laboratoriovaiheen ja massatuotannon välillä on haasteita, kuten saanto, kustannukset, luotettavuus, virrankulutus ja yhteensopivuus tulevien ohjaimien kanssa. Tästä huolimatta onnistunut rakenne osoittaa, että Samsung jatkaa matkaa kohti huomattavasti suurempia tallennuskapasiteetteja ilman että sirun koko kasvaa samassa suhteessa.
Jos tekniikka saadaan massatuotantoon, se voi muodostaa perustan paljon suuremmille SSD-asemille kuluttajatallennuksesta aina datakeskusten yritysratkaisuihin. Kilpailussa SK hynixin, Micronin, YMTC:n ja muiden kanssa Samsungille on tärkeää paitsi säilyttää NAND-johtajuutensa, myös osoittaa kykenevänsä ensimmäisenä lähestymään seuraavan sukupolven erittäin tiivistä flash-muistia.