Sisäpiiriläinen Jukan kertoi, että Samsung Electronics valmistelee seitsemännen sukupolven DRAMin massatuotantoa 10 nm -luokassa. Tekniikka tunnetaan paremmin nimellä 1d DRAM. Hänen mukaansa yhtiö työskentelee jo useiden kumppanien kanssa uuden prosessin laitteiston parissa ja odottaa aloittavansa sen käyttöönoton ensi vuoden toisella neljänneksellä.
1d DRAM tarkoittaa muistia, jonka viivaleveys on noin 10–11 nm. Vertailun vuoksi nykyisen kuudennen sukupolven 1c DRAMin arvioidaan olevan noin 11–12 nm. Mitä pienemmäksi luku saadaan, sitä paremmat ovat muistin mahdolliset suorituskyky- ja energiatehokkuusedut. Palvelinten, AI-kiihdyttimien ja HBM:n kasvava kysyntä tekee tästäkin erosta merkittävän.
Samsung tekee jo sisäisiä arviointeja, myös varhaisilla 1d DRAM -näytteillä. Aiemmin arveltiin, että yhtiö voisi siirtyä massatuotantoon jo tänä vuonna, mutta alan lähteet pitävät sitä epätodennäköisenä. Syy on suoraviivainen: 1d DRAMin keskeinen tuotantolaitteisto näyttää olevan yhä kehitysvaiheessa.
Sisäpiiriläisen mukaan Samsung keskustelee nyt kumppaneidensa kanssa tuotantolaitteiston käyttöönotosta ensi vuoden toisella neljänneksellä. Kun mukaan lasketaan linjojen säätö ja tuotannon valmistelu, varsinainen massatuotanto voisi alkaa aikaisintaan ensi vuoden lopulla. Selkeämpi aikataulu on odotettavissa tämän vuoden loppua kohti.
Alan lähteiden mukaan Samsung työskentelee aktiivisesti 1d DRAMin saantojen ja ominaisuuksien vakauttamiseksi. Yhtiölle kyse ei ole vain uudesta prosessipienennyksestä, vaan tärkeästä osasta tulevaa AI-muististrategiaa.
1d DRAMin odotetaan toimivan HBM5E:n peruspiirinä. Kyseessä on yhdeksännen sukupolven high-bandwidth memory, jonka kaupallistamista ennakoidaan vuodelle 2029. Jos Samsung saa uuden prosessin käyttöön aikataulussa, se voi vahvistaa asemaansa muistimarkkinoiden kilpailussa SK Hynixiä ja Micronia vastaan.