Qualcomm testaa uuden vuodon mukaan jo tulevaa lippulaivapiiriään, Snapdragon 8 Elite Gen 6 Prota. Tiedon jakoi X:ssä sisäpiiriläinen Reptalica: hänen mukaansa yhtiö tarkistaa 2 nm:n alustan teknisiä näytteitä hioakseen suorituskykyä ja vakautta hyvissä ajoin ennen julkaisua.
Vuodon tärkein yksityiskohta koskee muistia. Uuden alustan kerrotaan tulevan kahtena versiona: toinen on suunniteltu nykyiselle LPDDR5X:lle ja kehittyneempi versio tukee LPDDR6:ta. Tämä antaisi älypuhelinvalmistajille enemmän liikkumavaraa: osa voisi tehdä kalliita lippulaivoja nopeimmalla muistilla, kun taas osa voisi hillitä laitteen hintaa luopumatta kokonaan huipputason piiristä.
Alustavien tietojen mukaan tavallinen Snapdragon 8 Elite Gen 6 säilyttää LPDDR5X-tuen, jota käytetään jo monissa lippulaivapuhelimissa. Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro voi puolestaan olla Qualcommin ensimmäinen tämän tason ratkaisu LPDDR6-muistilla. Uuden standardin pitäisi tarjota suurempi tiedonsiirtonopeus ja parempi energiatehokkuus, mikä korostuu peleissä, tekoälytoiminnoissa, kameroissa ja pitkässä kuormituksessa.
Qualcommin kerrotaan arvioivan testeissä kuutta teknistä näytettä, mutta tämä ei välttämättä tarkoita kuutta kaupallista piirimallia. Tässä vaiheessa yhtiö voi vain testata eri kokoonpanoja ja varmistaa, että molemmat muistiyhdistelmät täyttävät Snapdragon Elite -sarjan vaatimukset vakauden, nopeuden ja virrankulutuksen osalta.
Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pron odotetaan valmistuvan 2 nm:n prosessilla ja tuovan selkeän parannuksen suorituskykyyn sekä tehokkuuteen. Qualcommin sanotaan myös testaavan uutta premium-piiriä nimettömässä lippulaivalaitteessa, mutta toistaiseksi ei tiedetä, onko kyse sisäisestä prototyypistä vai jonkin kumppanin kaupallisesta mallista. Vuodoissa mainitut aikataulut eivät ole vielä yhtenäisiä, joten vuoden 2026 jälkipuoliskoa koskeva maininta kannattaa ottaa varauksella. Alkuperäinen materiaali ei kerro hintoja.