Qualcommin Snapdragon 8 Elite Gen 6 tuo 2 nm TSMC N2P -prosessin, LPDDR6:n ja UFS 5.0:n. Lisää AI-tehoa ja energiatehokkuutta; huippumallit kalliimpia 2026.
© D. Novikov
Uusia yksityiskohtia on noussut esiin Qualcommin tulevasta lippulaivapiiristä Snapdragon 8 Elite Gen 6:sta. Huhujen mukaan se rakentuu 2 nm -prosessille ja tuo LPDDR6-muistin sekä UFS 5.0 -tallennuksen tuen. Yhdistelmä lupailee sekä suorituskyvyn että energiatehokkuuden parannuksia — juuri niitä peruspilareita, joihin seuraavan tekoälypainotteisen aallon odotetaan nojaavan.
Muistin ja tallennuksen päivitykset näyttävät olevan valjastettu AI-työkuormia silmällä pitäen. LPDDR6 merkitsisi entistä suurempaa kaistanleveyttä, kun taas UFS 5.0 voi nopeuttaa datan luku- ja kirjoitusoperaatioita, mikä auttaa laitteita selviytymään vaativasta laskennasta vähemmällä kitkalla. Painopiste on selvästi sujuvammissa, laitepuolella tapahtuvissa tekoälykokemuksissa.
Sisäpiirilähde Digital Chat Stationin mukaan Qualcomm aikoo valmistuttaa sirun TSMC:n 2 nm:n N2P-prosessilla. Tämän valmistustekniikan arvioidaan nostavan suorituskykyä noin 18 prosenttia tai leikkaavan tehonkulutusta noin 36 prosenttia 3 nm -sukupolveen verrattuna. Samaan aikaan osa asiantuntijoista katsoo, ettei uuteen solmuun siirtyminen ehkä onnistu ennen vuotta 2026 — tulkinta, joka sopii alan maltilliseen etenemisrytmiin.
Analyytikot odottavat, että kehittyneempi prosessi ja uusimpien muististandardien omaksuminen kasvattavat valmistuskustannuksia. Jos näin käy, seuraavan sukupolven huippupuhelimet voivat kallistua, ja premium-mallit tuntevat vaikutuksen todennäköisimmin ensimmäisinä.
Vuoden 2026 loppupuolelle odotettu Snapdragon 8 Elite Gen 6 näyttäytyy vahvana ehdokkaana mobiilin tekoälyn avainpiirien joukkoon.