Qualcomm Snapdragon 8 Gen 5 tuo Oryon-ytimet ja TSMC:n 3 nm N3P -prosessin. Lue suorituskyvystä, Adreno 840:stä, benchmarkeista ja ensimmäisistä puhelimista.
© D. Novikov
Qualcomm valmistelee Snapdragon 8 Gen 5:tä, sarjan seuraavaa kehitysaskelta, joka suorituskyvyssä jää Snapdragon 8 Elite Gen 5:n taakse. Vuotaja Digital Chat Station on jakanut tietoja sirun teknisistä ominaisuuksista ja varhaisista testeistä.
Vuotojen mukaan piiri valmistetaan TSMC:n hiotulla 3 nm N3P -prosessilla ja se pohjautuu Oryon-arkkitehtuuriin. Prosessorissa on kaksi erittäin nopeaa ydintä 3,8 GHz:n kellolla sekä kuusi suorituskykyydintä 3,32 GHz:ssä — paperilla järkevä tasapaino vauhdin ja energiatehokkuuden välillä.
Adreno 840 -grafiikkasuoritin nojautuu samaan IP:hen kuin Elite-malli, mutta toimii matalammalla kellotaajuudella, noin 1,2 GHz. Testeissä piiri ylsi yli 3,3 miljoonaan pisteeseen AnTuTussa, noin 3 000/10 000 pisteeseen Geekbench 6:ssa ja lähes 100 FPS:n tulokseen Aztec 1440p -testissä.
Yhteensä luvut sijoittavat Snapdragon 8 Gen 5:n kokonaiskyvykkyydessä lähelle Eliteä, vaikka grafiikassa se antaa hieman tasoitusta. Parannettu valmistussolmu tuo mukanaan matalamman lämmöntuoton ja paremman vakauden — yhdistelmä, joka todennäköisesti puhuttelee kompakteja ja energiatehokkuutta painottavia laitteita.
Huhujen mukaan ensimmäiset tätä sirua hyödyntävät puhelimet ovat OnePlus Ace 6 Turbo, vivo S50 Pro Mini ja Honor GT 2, ja julkaisut voivat osua jo marras–joulukuulle.