Intel déploie la High‑NA EUV pour le nœud 14A avec le Twinscan EXE:5200B

Intel a officiellement mis en service le premier outil commercial de lithographie EUV à haute ouverture numérique (High‑NA) du secteur, le Twinscan EXE:5200B d’ASML. Après des essais initiaux menés à bien, le scanner va servir au développement du procédé Intel 14A, appelé à devenir le premier nœud au monde à appliquer la High‑NA EUV aux couches critiques.

Issu de la plateforme EXE:5000 qu’Intel a reçue en 2023 pour son centre de recherche de l’Oregon, l’EXE:5200B franchit un cap. Avec une ouverture numérique de 0,55, il offre une résolution allant jusqu’à 8 nm et épargne le multipatterning complexe que nécessitent souvent les scanners EUV conventionnels, généralement limités autour de 13 nm.

Côté débit, l’EXE:5200B peut traiter jusqu’à 175 plaques par heure avec une dose d’exposition de 50 mJ/cm² et atteint une précision de superposition de 0,7 nm. Des chiffres qui pèsent lourd à l’heure où l’on s’avance vers des éléments sous le nanomètre, où le moindre désalignement rogne directement le rendement.

Pour atteindre ces objectifs, ASML et Intel ont renforcé la source lumineuse EUV et revu des sous-systèmes clés. Le transport et le stockage des plaques ont fait l’objet d’un soin particulier : l’architecture actualisée maintient un environnement thermique plus stable tout en amortissant les vibrations mécaniques et thermiques. À l’usage, cela se traduit par moins de dérive des paramètres sur les longues séries et par des interruptions plus rares pour le réétalonnage.

Intel souligne que le déploiement de la High‑NA EUV doit simplifier les règles de conception, réduire le nombre d’étapes de lithographie et de masques, raccourcir les cycles de fabrication et accroître le débit global pour le 14A et les générations suivantes. En parallèle, l’entreprise affine photomasques, procédés de gravure, techniques d’amélioration de la résolution et métrologie afin d’exploiter pleinement la nouvelle lithographie.

Pris ensemble, l’installation du Twinscan EXE:5200B marque le passage de la High‑NA EUV du statut d’équipement expérimental à celui d’outil pour la production de volume, et pourrait bien devenir une pièce maîtresse de la stratégie d’Intel pour reconquérir le leadership technologique dans les semi‑conducteurs. Une étape qui, au-delà de la prouesse technique, envoie un signal clair sur la trajectoire que le secteur s’apprête à suivre.