Danny Weber
Samsung travaillerait sur la 1d DRAM en classe 10 nm, avec une installation des équipements visée au deuxième trimestre de l’an prochain.
L’insider Jukan rapporte que Samsung Electronics prépare la production de masse de DRAM de septième génération en classe 10 nm, mieux connue sous le nom de 1d DRAM. Selon lui, l’entreprise travaille déjà avec plusieurs partenaires sur les équipements du nouveau procédé et compte commencer leur déploiement au deuxième trimestre de l’année prochaine.
La 1d DRAM désigne une mémoire dont la largeur des lignes se situe autour de 10–11 nm. À titre de comparaison, l’actuelle 1c DRAM de sixième génération est estimée à environ 11–12 nm. Plus ce chiffre baisse, plus le potentiel de performance et d’efficacité énergétique augmente. Avec la demande croissante des serveurs, des accélérateurs d’IA et de la HBM, cet écart prend beaucoup de poids.
Samsung mène déjà des évaluations internes, y compris avec de premiers échantillons de 1d DRAM. Des rumeurs évoquaient auparavant un passage à la production de masse dès cette année, mais les sources industrielles jugent ce scénario peu probable. La raison est assez simple : les équipements clés pour la 1d DRAM semblent encore en développement.
D’après l’insider, Samsung discute actuellement avec ses partenaires de l’introduction des équipements de production au deuxième trimestre de l’an prochain. En tenant compte du réglage des lignes et de la préparation industrielle, le vrai lancement de la production de masse pourrait ne pas arriver avant la fin de l’année prochaine. Un calendrier plus clair est attendu vers la fin de cette année.
Les sources du secteur indiquent que Samsung travaille activement à stabiliser les rendements et les caractéristiques de la 1d DRAM. Pour l’entreprise, ce n’est pas seulement une nouvelle réduction de gravure, mais une pièce importante de sa future stratégie dans la mémoire dédiée à l’intelligence artificielle.
La 1d DRAM devrait servir de puce de base à la HBM5E, la neuvième génération de mémoire à haute bande passante, dont la commercialisation est attendue en 2029. Si Samsung lance le nouveau procédé dans les temps, cela pourrait renforcer sa position face à SK Hynix et Micron.
© A. Krivonosov