Samsung mise sur la HBM4: 50% de rendement et expansion avec l’EUV High‑NA

D’après TweakTown, Samsung a atteint un rendement de 50 % sur la HBM4 produite en DRAM 1c et étend activement ses capacités en vue d’une production de masse de HBM4 et HBM4E. Selon des sources, l’entreprise a acheté cinq des tout derniers systèmes de lithographie EUV High-NA d’ASML : deux destinés à l’activité fonderie et trois réservés exclusivement à la mémoire — un partage qui souligne un parti pris clair en faveur de la mémoire HBM.

Des experts du secteur estiment que Samsung met en place, de fait, une ligne dédiée à la mémoire, une étape qui devrait accélérer la production en volume de la HBM4 tout en préparant le terrain pour la HBM4E puis la HBM5. À ce stade, l’activité DRAM du site de Pyeongtaek produit environ 300 000 tranches par mois, avec une capacité proche de la saturation. Une partie des nouveaux équipements pourrait être redirigée vers l’usine de Taylor, au Texas, si des commandes supplémentaires émanaient de grands clients nord-américains — une montée en cadence pensée pour rester agile.

Dans le même temps, le principal rival SK hynix garde une longueur d’avance en fournissant NVIDIA en HBM3 et HBM3E pour les GPU Blackwell. Selon les analystes, l’intensification des investissements de Samsung dans la mémoire HBM devrait inévitablement raviver la compétition sur le marché de la mémoire haute performance, augurant d’une course plus serrée.