Snapdragon 8 Elite Gen 6: gravure 2 nm, LPDDR6 et UFS 5.0 pour l’IA mobile

De nouveaux détails émergent au sujet du futur processeur phare de Qualcomm, le Snapdragon 8 Elite Gen 6. D’après les indiscrétions, il serait gravé en 2 nm et prendrait en charge la mémoire LPDDR6 ainsi que le stockage UFS 5.0. L’ensemble dessine une plateforme tournée vers un double objectif: hausser les performances et gagner en sobriété énergétique, deux leviers essentiels pour la prochaine vague de fonctions centrées sur l’IA.

Avec ces évolutions côté mémoire et stockage, le Snapdragon 8 Elite Gen 6 devrait mieux encaisser les charges de travail liées à l’IA. LPDDR6 apporterait encore plus de bande passante, tandis que l’UFS 5.0 promet des accès et écritures plus rapides, de quoi faire passer des calculs lourds avec moins de frottements. En filigrane, l’accent est clairement mis sur une expérience d’IA embarquée plus fluide.

Selon l’informateur Digital Chat Station, Qualcomm prévoirait de confier la production de la puce au procédé N2P 2 nm de TSMC. Ce nœud pourrait offrir environ 18 % de performances en plus ou réduire la consommation d’environ 36 % par rapport à la génération 3 nm. En parallèle, une partie des spécialistes estime toutefois que Qualcomm ne serait pas en mesure d’adopter ce nœud avant 2026, un calendrier qui épouse le tempo prudent des transitions industrielles.

Les analystes s’attendent aussi à ce que le passage à un procédé plus avancé et l’adoption de standards mémoire de pointe renchérissent les coûts de production. Si cela se confirme, les prochains smartphones haut de gamme pourraient coûter plus cher, avec un impact d’abord perceptible sur les modèles premium. Ce scénario laisse penser que le ticket d’entrée du très haut de gamme pourrait grimper.

Attendu pour la fin 2026, le Snapdragon 8 Elite Gen 6 se profile, sur le papier, comme l’une des puces clés de l’ère de l’IA mobile.