Danny Weber
AI डेटा सेंटर HBM और DRAM क्षमता का बड़ा हिस्सा ले रहे हैं, जिससे पारंपरिक मेमोरी उत्पादों की आपूर्ति पर दबाव बढ़ रहा है।
SK hynix के CEO Kwak Noh-Jung ने चेतावनी दी है कि 2027 में वैश्विक मेमोरी बाजार अपने इतिहास की सबसे गंभीर कमी का सामना कर सकता है। उनके अनुसार AI इन्फ्रास्ट्रक्चर के लिए उच्च प्रदर्शन वाली HBM सहित DRAM और NAND की मांग अगले वर्ष ही नहीं, बल्कि उसके बाद भी उपलब्ध उत्पादन क्षमता से अधिक रहेगी — कम से कम अगले दशक की शुरुआत तक।
सबसे बड़ा दबाव डेटा सेंटरों की तेजी से बढ़ती मांग से आ रहा है। बड़े ग्राहक कई वर्षों के आपूर्ति समझौते कर रहे हैं, जबकि निर्माता अधिक महंगे और ज्यादा लाभदायक उत्पादों को प्राथमिकता दे रहे हैं: AI एक्सेलेरेटर के लिए HBM, फ्लैगशिप डिवाइस के लिए LPDDR5X और सर्वर समाधान। नतीजतन, सामान्य DDR5, DDR4 और सस्ती मोबाइल LPDDR मेमोरी को कम उत्पादन क्षमता मिल रही है।
Samsung और Micron ने भी ऐसे ही अनुमान दिए हैं। Samsung ने कहा है कि निर्माता मांग के अनुरूप उत्पादन तेजी से नहीं बढ़ा पा रहे हैं, इसलिए 2027 में स्थिति और कठिन हो सकती है। Micron का भी मानना है कि कमी अभी शुरुआती चरण में है और कंपनी ग्राहकों की मेमोरी मांग का केवल लगभग 50–66% पूरा कर सकती है।
SK hynix, Samsung और Micron के लिए यह स्थिति लाभदायक है, लेकिन बाकी बाजार के लिए लगातार अधिक महंगी साबित हो रही है। प्रीमियम मेमोरी की मजबूत मांग निर्माताओं का मुनाफा बढ़ा रही है, जबकि उपभोक्ता बाजार तेज कीमत वृद्धि का सामना कर रहा है। बढ़ी हुई लागत PC, smartphone, game console और दूसरे उपकरणों पर पहले ही असर डाल रही है, जिनकी सामग्री लागत में मेमोरी की बड़ी हिस्सेदारी होती है।
कमी के बीच चीनी मेमोरी निर्माता अपनी क्षमता तेजी से बढ़ा रहे हैं, जिनमें DRAM में CXMT और NAND में YMTC शामिल हैं, ताकि मुख्य रूप से घरेलू मांग पूरी की जा सके। SK hynix भी दक्षिण कोरिया और अमेरिका में नई सुविधाओं में निवेश के साथ कई वर्षों की उत्पादन विस्तार योजना तैयार कर रही है। फिर भी बड़े निवेश मांग और आपूर्ति के असंतुलन को जल्दी खत्म नहीं कर पाएंगे।
© A. Krivonosov